近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light Emission Diode; HB-led）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方式生长在蓝宝石基板（Sapphire Substrate）上，由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数（Lattice Constant）及热膨胀系数（Coefficient of Thermo Expansion; CT