MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上，接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构，相互错开的电极各自加正负电压使电极间的GaAs耗尽，入射光在这个耗尽区被吸收并在电场作用下向正负电极漂移形成光电流。通过优化金属电极数目和间距可以在适当的偏压下使金属电极间完全耗尽，从而既提高速度又提高响应度。这种结构还具有以下优点：结构简单易于制作且成品率高；寄生电容低，工作速度可以达到很高。 　　图1  M

单片集成就是在将集成电路和光电子器件制作在同一材料上，将微电子与光电子技术的优势相互结合，以期达到最佳性能。单片集成的光电子集成回路具有结构紧凑、器件一体化、集成度较高等特点 ，但由于光子器件和电子器件无论是材料和器件结构方面，还是在制作工艺方面差异都非常大，实现光子器件和 电子器件在材料、结构和工艺等都具有很好的兼容性还需要大量的研究工作。 　　利用硅作为基本材料，采用成熟的标准集成电路工艺制作光电子器件和光电子集成回路，在成本上和工艺成熟 度上具有无可比拟的优势，必将成为制作光电子芯片和解