我们所用的膜层材料为SiNO系材料，图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀膜前外延片的反射谱，曲线2和3 分别对应膜厚为95 nm和135 nm的情形，膜厚度用椭偏仪测出。从曲线1可知，片子的e－lh峰在840 nm，e－hh峰 在848 nm，模式波长的位置在832 nm。对于常通型调制器，模式波长的位置应在e￣hh峰的长波长方向；而常关型 器件，模式波长的位置应在e-hh峰附近，而且顶部必须镀减反膜，否则器件会工作在饱和区，降低器件的调制特 性。由于模式波长位置不合适，先采用镀SiNO减

镀膜的方法虽然也可以移动模式波长，但由于顶部反射率的降低，ASFP腔的谐振吸收作用减弱了，难以制作高对 比度的器件。高对比度的器件一般都是常通型。常通型器件要求模式波长在c－hh峰的长波方向，如果由于生长厚 度的偏差引起模式波长的偏离，必须采用后工艺的方法将模式波长移到合适的位置。图1所示为列阵器件的湿法腐 蚀实验结果，曲线1为器件腐蚀前的反射谱（器件I、2为列阵在空间位置上相隔最远的两个器件）。 图1 模式波长在腐蚀控制下的移动 　　腐蚀前器件1和2的e－lh激子峰都在约840 nm处，e