1．量子阱结构设计 　　多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于工作波长附近 。我们所研制的SEED器件工作波长要求在850～860 nm范围，根据理论计算，取阱宽为10 nm，此时重空穴激子吸 收峰在850 nm附近。另一方面，量子阱限制Stark效应所引起的激子吸收峰红移随阱宽的增加而增大，因此适当增 加阱的宽度可以增强QCSE效应。