本文组借鉴国外并行光互连链路的经验，应用一维线阵结构的SEED智能像素，将4×4 SEED智能像素制作成1×20 （4×5，一组冗余）线阵结构，设计适合的耦合方式，利用硅片的选择腐蚀技术，制作硅基光纤定位夹持器，研 制作为光纤和CMOS－SEED智能像素耦合的公共基准微光学平台，．实现光纤与CMOS－SEED智能像素的光学耦合。 这种方法的优点是可大大减少光路调节的环节，降低光信号在光路系统中的衰减，提高系统的光互连效率和可靠 性。在CMOS－SEED智能像素中，SEED列阵芯片面积为6 mm×

随着分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术的成熟与发展，可以在半导体衬底上均匀生 长原子量级的超薄层田，通过两种半导体材料的交替生长，形成一系列周期性的势垒和势阱，这就是所谓的超晶 格量子阱结构卩引。在量子阱中，由于电子的平均自由程大于势阱的宽度，将产生量子尺寸效应，态密度由体材 料的连续抛物线形变成量子阱中的台阶形，台阶形态密度分布使注入量子阱中电子、空穴能量分布更为集中，大 大提高了注入载流子的利用效率，由于量子阱材料吸收带边比体材料要陡直得多，因而吸收损耗系数至少降

半导体多量子阱自电光效应器件是20世纪80年代后期迅速发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关器件。 SEED是美国贝尔实验室对自电光效应器件（Self Electro－OpticEffect Device）的简称囫，其他一些国家称这 种器件为量子阱激子吸收反射开关（EARS）器件、多量子阱光逻辑开关器件、量子阱非对称谐振腔光调制器等不 同名称，本文统一称做SEED器件。SEED器件一般是用MBE或MOCVD生长多量子阱材料，利用现有的较为成熟的微电 子工艺制作器件及阵列，其开关速度很快，可达n