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搜索资源列表

  1. 晶体管参数测量技术报告

  2. 文中恒流源设计很好,但BCE引脚判断还有问题

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-15
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：chenxiaogo123

  1. 2009电子竞赛猜题(补充)

  2. 晶体管参数测试仪 晶体管参数测试仪晶体管参数测试仪晶体管参数测试仪

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-28
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：wkdongsheng

  1. 多功能晶体管参数测试仪--毕业设计完全资料

  2. 这是我 的毕业设计作品：多功能晶体管参数测试仪，能够测量晶体管的极性，型号，管脚号，直流放大倍数，输入输出曲线用液晶12864显示。使用的是凌阳61板加上一些外围接口电路液晶模块等完成。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-13
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：abilly

  1. 电子测量仪器实验指导书

  2. 8种电子测量仪器的使用方法和实验指导书 实验一 模拟万用表和数字万用表的使用 实验二 晶体管毫伏表及其使用 实验三 信号发生器的分类及其使用 实验四 通用示波器的一般使用和常用参数测量 实验五 示波器特殊测量方法和校正方法 实验六 数字频率计数器的使用 实验七 频率特性测试仪的使用方法 实验八 函数信号发生器技术指标的测量 ……………………… 35

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-12-19
    • 文件大小：169kb
    • 提供者：shq1962

  1. 晶体管参数测试仪的设计

  2. 晶体管参数测试仪的设计，解密资料，论文绝对够好

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-04-27
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：u011025930

  1. 超详细的Multisim仿真教程.pdf

  2. 超详细的Multisim仿真教程pdf,超详细的Multisim仿真教程‖田皆合·画2□姐F=ht-? 设电数元图后电虐创修 帮 计子据器形处气拟建改 工表库件记理規实 具格管编录器則验了 箱检理辑仪检板 视器 注注 释释 使用的元器件列表 助 件件 图13.13 Multisim主工具栏 灬计恐a的m黑Ye百% 放基放放运彐三其混芷放杂高高机 放 置本置置算 元沥E合示置项级頻电 置 电元二晶放元数元模功元外元元 源器极体大 件管器字器块阜器国器器 线 件器件元仲电件件 件 件路 图13.14

  3. 所属分类：其它

  1. DY294晶体管直流参数测试仪使用说明.pdf

  2. go my space welcome to download

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-09-10
    • 文件大小：836kb
    • 提供者：u012068242

  1. 双向触发二极管用什么可以代换

  2. 双向触发二极管的代换方法 双向触发二极管（2CTS）是属于三层结构，具有正、反向转折电压，且其正、反向伏安特性非常对称。常见型号有DB3型双向触发二极管，实测它的正反向击穿（可逆）电压为25V左右。附图2为简易击穿电压测试仪，测量400V以下中小功率硅晶体管及稳压管的耐压值，测量误差不大于10％（使用时注意安全）。 根据DB3型双向二极管的这一特点，笔者在实践中用图1所示元件组成a～d电路可“应急”代替双向触发二极管。代换中注意： 1、图1中，a电路两只9012管参数（击穿电压）最好一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38748263

  1. 晶体管测试仪.rar

  2. 晶体管测试仪可以测你常用到的所有零件的参数，可以对频率进行测量，也可以产生占空比和频率可调的信号！ 实用更好用

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-08-13
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：qq_26096291

  1. 晶体管PC参数测量仪DIY详解

  2. 本文介绍了用洞洞板作了一个PC机晶体管图示参数测试仪。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：193kb
    • 提供者：weixin_38656989

  1. 电子测量中的安捷伦科技推出Agilent 4075和4076 DC RF脉冲参数测试仪

  2. 安捷伦科技宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪，用来鉴定使用高级工艺技术(如65nm技术节点)制造的器件。通过Agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件。　　Agilent 4075和4076为精确鉴定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物MOSFET，或通信应用中使用的高速半

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38635449