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搜索资源列表

  1. 晶体管参数与资料汇总

  2. 以列表的形式将近500种晶体管的参数罗列出来，包括极性，耐压，电流，功率，频率特性，匹配对，封装等各个信息

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-18
    • 文件大小：162kb
    • 提供者：fingi

  1. 15000只晶体管的参数

  2. 15000只晶体管的参数, 用途-PA /PSW/DDC/REG ,HG A/SW,LF A/D,HV SW /D,...... 够可以的吧

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-19
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：zfz93

  1. 《世界晶体管实用手册》

  2. 非常实用的电子工具书，有近千种晶体管的参数供您查询，非常方便，值得收藏。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-06
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：xjq51

  1. 常用元器件的参数识别、故障特点

  2. 电阻 、电容 、晶体二极管 、稳压二极管 、电感 、变容二极管 、晶体三极管 、场效应晶体管放大器等元器件的参数识别，故障特点等

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-24
    • 文件大小：161kb
    • 提供者：sunjiajiang

  1. 世界晶体管手册 晶体管手册

  2. 包含大多数晶体管的参数（电压、电流以及频率等参数）。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-08
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：pengli8244

  1. 2N系列功率晶体管技术参数

  2. 本文件主要介绍了2N系列晶体管较为常用的一部分型号及其元件参数《2N系列功率晶体管技术参数》。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-21
    • 文件大小：286kb
    • 提供者：lhl1983

  1. 晶体管对应参数代换，维修中常用的资料

  2. 晶体管对应参数代换，维修中常用的资料，大家下载看看。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-18
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：ly990326

  1. 全系列三极管应用参数大全

  2. 全系列三极管应用参数大全,集中了大概22000个晶体管的参数信息

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-04
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：mirage888

  1. [电子元器件] 晶体管的分类

  2. 本文内容包括晶体管的几种分类方法、晶体管的主要参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38707342

  1. 谈谈晶体管的频率参数

  2. 晶体管在用作放大或振荡时，它的放大倍数和工作频率是有一定限度的，并且还互相有影响。那么，晶体管的频率参数有哪些呢?本文简单介绍几个晶体管的频率参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38631331

  1. 模拟电路中晶体管的h参数

  2. 本文主要介绍了晶体管的h参数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：138kb
    • 提供者：weixin_38641111

  1. 元器件应用中的晶体管的置换原则

  2. 在维修、设计和实验或试制中，常常会碰到晶体管的置换（代换）问题。如果掌握了晶体管的置换（代换）原则，就能使工作初有成效。其置换（代换）原则可划分为三种：即类型相同、特性相近、外形相似。 一、类型相同 　　1.材料相同。即锗管换锗管，硅管换硅管。　　2.极性相同。即NPN型管换NPN型管，PNP型管换PNP型管。　　3.实际型号一样，标注方法不同，如：D1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；贴片管用代号来代表原型号等。但不排除同一型号因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38738506

  1. 基础电子中的晶体管的代换原则

  2. 无论是专业无线电维修人员。还是业余无线电爱好者，在工作中都会碰到晶体管置换问题。如果掌握了晶体管的代换原则，往往能使维修工作事半功倍，提高维修效率。晶体管的置换原则可概括为三条：即类型相同、特性相近、外形相似。 　　一、类型相同 　　1．材料相同。即锗管置换锗管，硅管置换硅管。 　　2．极性相同。即npn型管置换npn型管，pnp型管置换pnp型管。 　　二、特性相近 　　用于置换的晶体管应与原晶体管的特性相近，它们的主要参数值及特性曲线应相差不多。晶体管的主要参数近20个，要求所有这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38587005

  1. 基础电子中的晶体管的置换（代换）原则

  2. 我们在维修、设计和实验或试制中，常常会碰到晶体管的置换（代换）问题。如果掌握了晶体管的置换（代换）原则，就能使工作初有成效。其置换（代换）原则可划分为三种：即类型相同、特性相近、外形相似。 　　一、类型相同 　　1.材料相同。即锗管换锗管，硅管换硅管。 　　2.极性相同。即NPN型管换NPN型管，PNP型管换PNP型管。 　　3.实际型号一样，标注方法不同，如1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；贴片管用代号来代表原型号等。但不排除同一型号因为生产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38746387

  1. 基础电子中的怎么选择继电器的参数

  2. 怎么选择继电器的参数 　　１、继电器的选择_继电器额定工作电压的选择继电器额定工作电压是继电器最主要的一项技术参数。在使用继电器时，应该首先考虑所在电路(即继电器线圈所在的电路)的工作电压，继电器的额定工作电压应等于所在电路的工作电压。一般所在电路的工作电压是继电器额定工作电压的0.86。注意所在电路的工件电压千万不能超过继电器额定工作电压，否则继电器线圈烧毁。另外，有些集成电路，例如NE555电路是可以直接驱动继电器工作的，而有些集成电路，例如COMS电路输出电流小，需要加一级晶体管放大电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38689041

  1. 基础电子中的光敏晶体管的主要参数

  2. 1)暗电流ＩD，无光照射时，光敏晶体管发射极E与集电极C之间的漏电流(流过集电极的反向电流)此值越小越好。　　　　2)光电流ＩL，当管子受到光照射时，光敏晶体管的集电极电流，此值越大说明光敏晶体管的灵敏度越高。　　　　3)响应时间，光敏晶体管对人射光信号的反应速度，一般为10的负三次方--10的负七次方。　　　　4)最高工作电压U(CEO)，无光照射时，集电极电流为规定值时，集电极与发射极司允许加的最高电压值。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：20kb
    • 提供者：weixin_38675970

  1. 元器件应用中的区别晶体管的参数β和hFE

  2. β和h(FE)是有区别的，但在很多人使用晶体管时都将这两个概念混为一谈。    　　β是指晶体管的交流电流放大系数，表示晶体管对交流变化信号的电流放大能力。β等于变化的集电极电流△Ic与变化的基极电流A几的比值，即。例如某晶体管基极电流从0.010mA变化到0.028mA时，几由0.990mA变化到1.972mA。该晶体管的β值就应如下式计算    　　hFE是指晶体管的直流放大系数，也可以用β来表示。hFE是指在静态(无变化信号输入)情况下，晶体管Ic与Ib的比值，即。例如当Ib为O.0

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：73kb
    • 提供者：weixin_38739101

  1. 元器件应用中的9000系列晶体管的性能

  2. 现在市场上销售的晶体管，有一种9000系列晶体管，价钱便宜性能也不错，它们的性能怎样?　　9000系列塑封晶体管，价钱便宜，性能也不错，所以现在很多电子产品和业余电子制作中都应用这类晶体管。　　9000系列晶体管有多家公司生产，区别在于前缀字母不同，如TEC9012为日本东芝公司产品，SS9012则是韩国三星公司产品等。另外，有些国内厂家也在生产塑封9000系列晶体管。不同公司的同型号管子在特性上可能也有些差异，使用中应注意。表列出了9000系列晶体管的性能参数供参考。             

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38629976

  1. MOS晶体管的跨导gm

  2. MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：21kb
    • 提供者：weixin_38631225

  1. 保护环对深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的直流和高频性能的影响

  2. 保护环（GR）对直流（DC）和高频的影响亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的性能（MOSFETs）在这项研究中进行了研究。 制作了具有四种不同GR的MOSFET 使用90 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）Craft.io，并进行了详细他们的设备性能进行了比较研究。 统一的直流和小信号开发了考虑GR影响的等效电路模型。 一套简单但有效的方法公式为S参数之间的转换提供了双向桥梁具有不同GR的设备。 不同型号MOSFET的相应模型参数GR是由高达40 GHz的S参数晶圆上测量确定的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38721405
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