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  1. 晶体管放大器设计详细资料

  2. 相信大家都学习了电子线路了，但是对晶体管的知识又了解多少呢？能不能设计一个给定参数的放大电路呢？本资料则告诉你关于晶体管的相关知识！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-08
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：shoker

  1. 实用低频功率放大器的设计

  2. 实用低频功率放大器的设计.pdf 给出了采用分立的大功率MOS晶体管实现低频功率放大的设计方法 该放大器主要 由稳压电源模块 带阻滤波模块 电压放大模块 功率放大模块 AD转换模块以及液晶显 示模块组成 它利用MSP430F2274来处理与功率相关的信号 并实时显示输出功率和效率 关键字 功率放大 MSP430F2274 单片机 带阻滤波器 MOS管

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-24
    • 文件大小：122kb
    • 提供者：shuiyaolong

  1. 晶体管电路的设计

  2. 我打算上传这本书的目的很简单，就是想帮助那些喜欢电子设计，搞些发明的朋友。我们都明白你在课堂上学习了模电学了很久，自己去设计一个电路时总是感到力不从心，所以我就把这本书的上下册都传出来。这是一本真正的搞硬件设计的入门级的书。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-05-02
    • 文件大小：42mb
    • 提供者：liumouwen

  1. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf

  2. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf转换器的工作频率取决于功※需求。功率需求较低时,工作频率相当高,超 出谐振点。相反,功率需求较高时,控制环路会降低廾关频牽,使其中一个谐振频 率提供负载所需大小的电流。总的来看,转换器工作在种不同的工作状 态,分别是:在和之间;直接谐振在 高于;在和 之间过载;低于。 与分立储能电路解决方案相比,集成储能电路解决方案的行为特性不同,如漏电感 米自于变压器耦合,且仅在变压器初级和次级之间存在能量转换时参与谐 振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：514kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 小功率调幅发射机的设计方案

  2. 采用晶体管或集成电路完成一个小功率调幅发射机的设计；

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2013-01-08
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：lcoo002

  1. 晶体管开关电路的设计

  2. 晶体管开关电路的设计和应用 晶体管开关电路的设计和应用

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-08-25
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：zhaijianbobobo

  1. 新型无LC元件脉冲振荡电路的设计

  2. 只用两个同极性的晶体管，设计成一个两端负阻电路，无须外加任何储能用的电感、电容等 元件，其自身就能产生三角形脉冲波形，并能稳定地产生周期性的持续脉冲振荡。

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 直流双环系统的设计及仿真分析.doc

  2. 有一转速、电流双闭环控制的H形双极式PWM直流调速系统，电动机参数为： ，电枢电阻，电枢回路总电阻，允许电流过载倍数，电势系数，电磁时间常数，机电时间常数，电流反馈滤波时间常数，转速反馈滤波时间常数，调节器输入输出电压，调节器输入电阻，电力晶体管的开关频率，PWM环节的放大倍数。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：573kb
    • 提供者：qq_42013289

  1. CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计

  2. 提出了应用0.13 ?滋m CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz有33～51 dB的隔离度。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：91kb
    • 提供者：weixin_38569166

  1. 低功耗CMOS电压基准源的设计

  2. 给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38627521

  1. 一种超宽脉冲发生器的设计

  2. 超宽带UWB是一种利用纳秒级窄脉冲发送信息的技术。重点讨论了一种采用级联雪崩晶体管结构UWB极窄脉冲发生器,并对其电路及雪崩晶体管的工作原理进行了具体分析。实验获得的UWB输出脉冲宽度约为1.22ns,上升时间约为863ps。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：193kb
    • 提供者：weixin_38631599

  1. MOSFET场效应晶体管的设计注意事项

  2. 本文介绍了MOSFET场效应管的设计注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38678394

  1. 开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

  2. 本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因， 并结合开关电源的设计及生产实际， 介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-19
    • 文件大小：252kb
    • 提供者：weixin_38673738

  1. 一款高精度基准电压源的设计方案

  2. 随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积的挑战越来越严重，双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此，本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案，经证实，该电路具备占用芯片面积小，精度高，可移植性强的优势特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：600kb
    • 提供者：weixin_38728347

  1. 晶体管β值测量与分选电路的设计与制作.zip

  2. 1、 基本功能 （1）对被测三极管β值的测量范围为150～350，并可数字显示，待测三极管为空时显示0； （2）β值的分选范围为：150≤β≤250，250<β<350两档，对应的档位编号分别是1和2，并用一个数码管显示其档位； （3）当被测三极管的β≥350时，并产生闪光报警； （4）设计电路所需的电源。 2、拓展功能 （1）用声控表示不同的档位：用800HZ和1KHZ的音响表示 档位； （2）其他功能的设计。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2020-10-06
    • 文件大小：664kb
    • 提供者：weixin_43236309

  1. 基于三值文字运算的碳纳米场效应晶体管SRAM设计

  2. 通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析，结合碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)的特性，提出一种基于三值文字电路的碳纳米场效应晶体管SRAM设计方案。该方案首先利用三值文字运算真值表和开关信号理论设计文字运算电路；然后采用文字0、文字1和文字2非运算电路实现三值SRAM的功能，利用传输门控制反馈回路降低三值写操作的动态功耗；最后实验验证，所设计的电路逻辑功能正确且与传统交叉耦合SRAM相比写速度提高49.2%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：348kb
    • 提供者：weixin_38699830

  1. 专用芯片技术中的芯片的设计制造，大体分这三个阶段

  2. 一颗高性能芯片在区区数百平方毫米的硅片上蚀刻数十亿晶体管，晶体管间的间隔只有几十纳米，需要经过几百道不同工艺加工，而且全部都是基于精细化操作，制作上凝聚了全人类的智慧，是当今世界上最先进的工艺、生产技术、尖端机械的集中体现。 　　我们知道，芯片的设计制造要经过一个非常复杂的过程，可大体分为三个阶段：前端设计（逻辑代码设计）、后端设计（布线过程）、投片生产（制芯、测试与封装）。如图所示： 　　从图中可以看出，前端设计包括需求分析、逻辑设计与综合，输出门级网表；后端设计对原有的逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：129kb
    • 提供者：weixin_38700409

  1. 大功率晶体管驱动电路的设计及其应用

  2. 介绍了大功率晶体管（GTR）基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求及其设计方法，并给出一种实用的驱动电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：209kb
    • 提供者：weixin_38682279

  1. 一种可扩展的基于晶体管的防盗报警器的设计方案

  2. 这是一个利用晶体管制作的防盗报警电路。它的功能包括自动出入境延误贝尔一起定时切断复位。它的设计是与常闭输入设备类型，如通常使用，磁簧触点，微动开关，铝箔胶带和PIRs。 　　基本的报警有一个“退出/进入”地带和“即时”地带。这将在许多情况下是足够的。但是大型建筑物，最好分成若干较小的区域。报警的模块化设计意味着你可以添加到系统一样那就尽可能多的区域。他们是“即时区” 并可由两个常开和常闭触发输入装置 　　示意图 　　它易于使用。使用绿色LED提醒，并且有报警声发错。你有30秒左右离开大楼。当您

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：175kb
    • 提供者：weixin_38673738

  1. TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计

  2. TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：255kb
    • 提供者：weixin_38704701
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