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搜索资源列表

  1. 晶圆加工生产线蚁群优化排程方法

  2. 从实际应用的角度, 分析了晶圆加工生产线排程特点, 建立了晶圆加工生产线排程数学模型(L SM 2W FL ) , 给出了以瓶颈设备为核心、蚁群优化算法为主要工具的晶圆加工生产线排程方法(L SA 2W FL )。基于实际生产线模型仿真验证的结果表明, L SA 2W FL 能够在允许的时间内获得晶圆加工生产线排程方案。

  3. 所属分类：物流

    • 发布日期：2011-05-12
    • 文件大小：301kb
    • 提供者：xalphay

  1. 精密激光加工应用的运动控制新挑战.docx

  2. 激光精密加工及切割已被应用在如太阳能晶硅切割、手机面板切割、半导体晶圆切割，Laser CNC等精密加工上面。

  3. 所属分类：其它

  1. 光纤激光器在硅片加工方面的应用.doc

  2. 通常来说，硅晶圆是由金刚石锯切割好的，偶而也有用划线器和剥裂加工的，但划线器和剥裂加工具有一定的局限性，它们只能平直划线

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：677kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 半导体材料.ppt

  2. 一、晶体结构 二、晶面与晶向 三、晶体中的缺陷和杂质 四、单晶硅的制备 五、晶圆加工

  3. 所属分类：其它

  1. 带重入加工的双臂组合设备的调度

  2. 带重入加工的双臂组合设备的调度，乔岩，伍乃骐，在半导体制造中，对于带重入加工工艺的双臂组合设备的调度非常复杂。例如原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）工艺，晶圆在某些加�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-10
    • 文件大小：363kb
    • 提供者：weixin_38580959

  1. 加载方向变化对细晶花岗岩凯塞效应的影响

  2. 进行了单轴压缩试验条件下重复加载时加载方向变化对细晶花岗岩凯塞效应的影响试验研究。试验发现,加载方向不变或加载角度变为7°时,岩石的凯塞效应明显;加载角度为10°和15°时,部分试件由于受试验环境、试件加工等因素的影响观测不到凯塞效应。试验统计数据表明,重复加载时加载方向变化越大,其凯塞效应越弱。研究同时发现:加载方向变化对凯塞效应的影响还取决于岩石的受力状态,单轴压缩状态下,岩石受力状态单一,重复加载时加载方向的轻微变化不会影响岩石对历史应力的记忆能力;劈裂状态下,圆盘试样应力状态复杂,加载方

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：394kb
    • 提供者：weixin_38660624

  1. 实现精密激光加工应用的运动控制新挑战

  2. 激光精密加工及切割已被应用在如太阳能晶硅切割、手机面板切割、半导体晶圆切割，Laser CNC等精密加工上面。如何通过调整能量强度来满足不同材质上切割，而呈现出有层次感的效果，这些都是高端运动控制产品所面临的新挑战。在本文中将讨论如何克服精密激光加工时所遭遇的新挑战，以及通过实例证明的解决方案。

  3. 所属分类：其它

  1. 平安证券-智能制造行业：智能制造系统全景图-半导体设备篇

  2. 我国半导体设备市场空间大，增长动力强劲。半导体设备主要用于半导体制造和封测流程，分为 晶圆加工设备（核心为光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备）、封装设备和检测设备。2018年全球半 导体设备市场达到645.5亿美元，其中大陆市场为131.1亿美元，占比20%，是全球第二大市场。 随着半导体产能向大陆转移、制程和硅片尺寸升级、政策的大力支持，大陆半导体设备增长强劲。 2018年大陆半导体设备增速为46%，远高于全球的14%，是全球市场增长的主要动力。  全球竞争格局集中，国产替代加速。全球半导体设备竞

  3. 所属分类：咨询

    • 发布日期：2020-09-10
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：semite

  1. 基础电子中的一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38588394

  1. DISCO上市新型激光加工设备 1台即可切割贴附有low-k膜的晶圆

  2. 日本DISCO开发出了新型激光加工设备“DFL7260”，该设备配备两个激光振荡器，只需1台即可切割使用了low-k膜的晶圆。预定于2008年4月上市。         　　向样品照射激光使其部分气化的烧蚀（abrasion）加工技术能够进行low-k膜的沟槽加工和晶圆切割。但是，由于对low-k膜进行沟槽加工（不出现剥离）和以较小热应力切割硅晶圆的加工对激光振荡器的要求不同，因此，此前一般需要2台激光加工设备。         　　此次通过配备两个激光振荡器，使得利用1台设备处理附有DAF（d

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38684806

  1. 半导体晶圆制造中产量与生产周期优化法

  2. 摘要:在晶圆制造厂中，有时为了提高设备利用率而盲目地增加投料/产出速率，造成生产周期时间增长，在制品增多。本文建立效用函数和多目标决策对其进行优化选择，并且阐述了在晶圆制造厂实际生产中，经济原则对周期时间的影响。 关键词：投料/产出速率;周期时间;效用函数;多目标决策;经济原则 1 前言 半导体晶圆制造厂是公认生产管理最为复杂的工厂之一。因为其生产过程有许多异于传统的工艺特性，例如工件再回流的现象、成批加工、作业等候时限、高良率要求、机台高当机率等，以致于一般都将交期不准、在制品（WI

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38582719

  1. 什么是硅晶片

  2. 硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，其次是氧元素，硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。 制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38732252

  1. 晶圆制造实例

  2. 集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下： 第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。 第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38502916

  1. 微局部环境

  2. 二十世纪八十年代中期的研究显示洁净室建造费用的增加，降低了公司的回报率。所以新的方向是把晶圆密封在尽量小的空间成为新的发展方向。这项技术已应用于曝光机和其他的工艺之中，它们为晶圆的装卸安装了洁净的微局部环境（图5.13）。 　　但挑战是为使晶圆不暴露于空气中，需要把一系列的微局部环境连在一起。惠普公司在二十世纪八十年代中期发明了一种重要的连接装置“标准机械接口装置”（SMIF）8。 利用SMIF，封闭的晶圆加工系统代替了传统的运输盒，并用干净空气或氮气来在系统中加压以保持清洁。这种方法就是“晶圆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38500944

  1. 半导体制程(洁净室及晶圆制造)

  2. 半导体制程 -------------------------------------------------------------------------------- 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。　 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38629206

  1. 大相对口径轻量化卡塞格林系统主镜的加工检验

  2. 介绍了卡塞格林系统的焦距为6000 mm, 系统的相对口径为1/10,主镜的口径为600 mm,主镜相对口径为1/1.2,主镜的材料是微晶玻璃,背面打有盲孔,质量为原来的50%。由于主镜的相对口径比较大,而且经过轻量化,因此加工难度比较大,在加工过程中在传统方法的基础上对工艺加以改进,采用三点扩九点的支撑方法和四点夹持的方法,最终将主镜加工到了很高的精度。主次镜组合系统的弥散圆直径小于0.02 mm ,用干涉仪检验卡塞格林系统主镜的峰值(PV)为1.23λ,均方根(RMS)为0.18λ。

  3. 所属分类：其它

  1. 碳化硅晶圆的快速高质量复合加工方法

  2. 为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表面粗糙度快速加工至0.6 nm左右;然后,通过配制特殊的磁流变抛光液,采用磁流变抛光技术对晶圆进行35 min快速均匀抛光,改善了SiC晶圆表面的缺陷,消除了晶圆亚表面损伤;最后,采用纳米金刚石抛光液,通过环抛对SiC晶圆进行精抛光,获得了粗糙度为0.327 nm的高表面质量单晶SiC晶圆。该方法将

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造和封装测试

  2. 半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38731145

  1. 一文详解晶圆BUMP加工工艺和原理

  2. 随着现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不断提高，IC芯片的特征尺寸不断缩小，且集成规模迅速扩大，芯片封装技术也在不断革新，凸点加工工艺（Bumpprocessflow）也因此发展起来。　　Bumpprocess分为三种：BOPCOA、BOAC、HOTROD，其封装的优缺点如下表所示。　　对于芯片尺寸要求没那么严格的情况，大多数产品都是采用QFN封装形式的芯片，因其可测性和散热较好；而对于耳机、手机等小型化产品的芯片，大多采用WSCP（waferscal

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：215kb
    • 提供者：weixin_38742954
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