PMS152 系列主要特点及简评： 1. 使用8寸0.18um晶圆制作工艺; 2. PMS152属于经济适用型（SOVA）系列，有很高的性能价格比。工作温度范围为 -20°C – +70°C，工作电压1.8V～5.5V，不可用于AC阻容降压电源或是有高EFT要求的应用。此系列暂时不提供PMC工规规格; 3. 1.2KW OTP，80 Bytes SRAM; 4. 设有5个timer，其中两个timer可生产独立的8bit PWM 信号，另外三个组成一组全新设计的SuLED (Sup

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下： 第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。 第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层

当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。64G CMOS 器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗，和多达28层膜版。1尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。图4.11列出了基础工艺和每一个工艺方案的原理。在图中的是一个简单器件-MOS栅极硅晶体管的构成，插图说明了制造的顺序。这类晶体管各部分的功能和晶体管的工作

集成电路芯片有成千上百的种类和功用。然而，它们都是由为数不多的基本结构（主要为双极结构和金属氧化物半导体结构，见第十六章）和生产工艺制造出来的。类似于汽车工业，这个工业生产的产品范围很广，从轿车到推土机。然而，金属成型、焊接、油漆等工艺是对有的汽车厂都是通用的。在汽车厂内部，这些基本的工艺以不同的方式被应用，来制造出客户希望的产品。 同样，芯片制造也是一样。制造企业使用四种最基本的工艺方法通过大量的工艺顺序和工艺变化制造出特定的芯片。这些基本的工艺方法是增层、光刻、掺杂、热处理（图4.3）。