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  1. MC方法模拟晶粒生长

  2. 一个有monte caro 模拟晶粒生长的Matlab源程序 一个Monte Caro的模拟晶粒生长的程序 %初始赋值 Ln=200; %格点边长 L=zeros(Ln); %格点矩阵 Q=120; %总取向数 step_num=500; %MC总步数 interval_save_jpg=20; %图形存储间隔 interval_stastics=2; %晶粒平均参数和相对密度统计间隔 stastics_data=zeros(step_num/interval_stastics,5); %存储

  3. 所属分类：制造

  1. 三根鸡毛信-蒙特卡罗编程

  2. 钛酸钡系PTCR 半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ. 烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-07-26
    • 文件大小：381kb
    • 提供者：baximuvip

  1. 利用相场法模拟金属晶粒生长的计算代码

  2. 利用相场法模拟金属晶粒生长的计算代码

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2016-03-20
    • 文件大小：4kb
    • 提供者：dayou2016

  1. 基于Matlab的晶粒生长计算机模拟

  2. 基于Matlab的晶粒生长计算机模拟，刘东亮，，本文以Monte Carlo方法为基础，结合现有的理论模型和晶粒生长模拟算法，建立了一个改进模型，利用matlab实现了温度和初始晶粒尺寸对晶�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：292kb
    • 提供者：weixin_38669793

  1. Microwave dielectric properties of Ba1-xZn1/3Nb2/3O3 ceramics prepared by a two-step sintering

  2. 两步烧结法制备Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷的微波介电性能，吕文中，，利用固相反应法制备了Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(0≤x≤0.02)，研究了Ba缺位对其B位离子长程有限度（LRO）、晶粒生长和微波介电性能的影响规律。研�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：559kb
    • 提供者：weixin_38689113

  1. Co掺杂对无粘结相纯WC硬质合金烧结致密化与WC晶粒生长行为的影响

  2. Co掺杂对无粘结相纯WC硬质合金烧结致密化与WC晶粒生长行为的影响，张立，陈述，无粘结相纯WC硬质合金烧结致密化与WC晶粒生长行为的研究对纯WC无粘结相硬质合金制备工艺的研究以及超细硬质合金中WC晶粒长大的控制�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-08
    • 文件大小：703kb
    • 提供者：weixin_38673798

  1. 金属陶瓷刀具材料晶粒生长模型的建立

  2. 金属陶瓷刀具材料晶粒生长模型的建立，黄传真，徐立强，金属陶瓷刀具材料的力学性能与材料的晶粒大小密切相关。本文基于传统的晶粒生长动力学模型，建立了陶瓷刀具材料晶粒长大的方程，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-25
    • 文件大小：266kb
    • 提供者：weixin_38733733

  1. 氢化物气相外延生长的（0 0 0 1）AlN /蓝宝石中缓冲层的微观结构及其对螺纹位错的影响

  2. 通过平面图和截面透射电子显微镜（TEM）研究了高温氢化物气相外延（HT-HVPE）在（0 0 0 1）蓝宝石上用三种不同类型的缓冲层（BLs）生长的AlN薄膜的微观结构。 ）。 通过在1350°C下的HVPE，在1050°C下的MOCVD和在1050°C下的HVPE来生长缓冲层。 缓冲层的微观结构和面内取向错误与AlN薄膜的晶体质量和位错演变有关。 采用莫尔条纹法定量分析了缓冲层的取向差角和平均晶粒尺寸。 HVPE在1350°C下生长的缓冲层被认为是单晶的，但是在1050°C下通过MOCVD或H

  3. 所属分类：其它

  1. 使用固态React法生长CH3NH3PbI3的大柱状晶粒，这种方法由较少结晶的纳米多KongPbI2膜增强

  2. 使用固态React法生长CH3NH3PbI3的大柱状晶粒，这种方法由较少结晶的纳米多KongPbI2膜增强

  3. 所属分类：其它

  1. Bi2O3缓冲的Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上溶胶-凝胶衍生的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的铁和压电性能增强

  2. 使用溶胶-凝胶法在Pt / Ti / SiO2 / Si和Bi2O3 / Pt / Ti / SiO2 / Si衬底上制备BiFe0.95Mn0.05O3薄膜。 两种膜在1到16.7 kHz的频率范围内都可以观察到饱和的方形PE磁滞回线。 Bi2O3 / Pt / Ti / SiO2 / Si上的BiFe0.95Mn0.05O3 BiFe（0.95）Mn（0.05）O（3）膜表现出较大的2P（r）（类似于156μC / cm（2）），较小2E（c）（类似于510 kV / cm），更对称的PE环

  3. 所属分类：其它

  1. 低压化学气相沉积过程中毫米级单晶石墨烯合成中的铜丘和石墨烯晶粒演化

  2. 研究了低压化学气相沉积（LPCVD）在毫米级单晶石墨烯生长过程中石墨烯晶粒下Cu丘的演变。 我们观察到随着石墨烯晶粒尺寸的增加，Cu坡度下降的行为。 这表明在接近铜熔点的生长温度下，山丘发生了自扁平化过程。 尤其是一旦石墨烯颗粒融合，山丘几乎就完全被夷为平地。 还研究了石墨烯晶粒的树枝状结构的演变。 已发现，随着CH4流量的逐步增加，树枝状结构中的分支间边界可以得到修复。 拉曼2D谱带的蓝移，其中拉曼采样点从晶粒中心移动到边缘，这证实了由于晶界间边界的愈合，晶体质量得到了改善。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：585kb
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 通过诱导CdS纳米粒子链的生长直接可视化二维单层WS2中的晶界

  2. 迄今为止，通过化学气相沉积已很好地实现了二维（2D）材料的晶圆级合成，但是获得的单层通常具有多畴，该多畴的电和光电特性受晶界和畴尺寸的影响。 当将这些2D材料用作生长模板时，这些边界还将对扩展应用中的后续异质结构形成提供未知的影响。 在这里，第一次，通过CdS纳米粒子的生长可以实现单层WS2膜中晶界的直接可视化。 具体而言，发现CdS首先优先于WS2晶界以无规方式成核并形成纳米颗粒链，而与晶界特性无关。 由于WS2–CdS异质结处的电子散射和II型能带对准，WS2的迁移率降低，同时电子浓度增强。

  3. 所属分类：其它

  1. 聚合物-金属复合薄膜热处理过程中应力演化的非线性

  2. 由多层聚合物和金属组成的复合薄膜广泛用于集成电路及其封装，由于复杂的内部应力分布和演化，会引起复杂的晶圆翘曲问题。 本文确定并分析了多层聚合物-金属复合薄膜的晶片翘曲起因和机理。 采用不同的PI / Cu复合结构来表征复合膜的热机理。 晶圆在热过程中的翘曲演变是通过多光束激光光学传感器系统进行现场测量的。 发现在此温度下，PI的固化收缩过程对晶片翘曲几乎没有影响，但是，沉积材料之间的热膨胀系数（CTE）不匹配，在冷却至室温时会导致较大的翘曲。温度（RT）。 尽管PI减轻了冲击应力，但与厚度成比例

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：444kb
    • 提供者：weixin_38652090

  1. 纹理化PIN-PMN-PT陶瓷的模板化晶粒生长和压电性能

  2. 纹理化PIN-PMN-PT陶瓷的模板化晶粒生长和压电性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：526kb
    • 提供者：weixin_38526225

  1. ZnO薄膜界面失配与面内晶粒尺寸的定量关系

  2. 已经研究了沉积在Si（100），（110）和（111）衬底上的ZnO薄膜的面内晶粒尺寸，以定量地了解晶粒尺寸和界面失配之间的关系。 在界面附近的岛生长的后期，平均面内晶粒尺寸被测量为分别为5.6nm，6.5nm和5.0nm。 在连续成膜的初始阶段，Si（100）和（110）基板上的晶粒尺寸增加，并且晶粒在[bar（1）上沿bar0]（ZnO）方向在[2（1）上）伸长。 这些晶粒尺寸主要由界面失配和界面处的弹性应变能决定。 然后，分别通过O晶格计算和界面能计算来解释在岛生长的后期和连续成膜的初始阶

  3. 所属分类：其它

  1. 元胞自动机-源码

  2. 元胞自动机 JavaFX 发展细胞自动机的阶段： 康威的人生游戏 细胞自动机：晶粒生长的开始，可视化，边界条件（周期性和非周期性），成核（均匀，半径，随机，弯曲） 元胞自动机：谷物生长，邻域（摩尔，冯·诺伊曼，十六进制，彭特）， 元胞自动机：蒙特卡洛算法（平滑边界） 细胞自动机：DRX-动态重结晶（成核完成，尚未生长）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_42148053

  1. 真空环境中脉冲激光烧蚀制备纳米银晶薄膜的生长特性

  2. 采用XeCl准分子脉冲激光,在室温、真空环境下烧蚀银靶,通过改变激光能量密度和靶衬间距,在与靶面平行放置的Si(111)衬底上沉积了一系列纳米银晶薄膜。利用扫描电镜以及X射线衍射仪、选区电子衍射技术对薄膜进行表征,结果表明:薄膜由不同尺寸的银纳米晶粒组成;在固定激光能量密度的条件下,随着靶衬间距增加,薄膜的厚度和晶粒尺寸逐渐减小,晶粒间的聚合程度减弱,薄膜(111)晶面的XRD特征谱线强度减弱,(200)晶面的特征谱线强度增强;在固定靶衬间距的条件下,随着激光能量密度的增大,薄膜的厚度和晶粒尺寸

  3. 所属分类：其它

  1. 固相晶体生长技术的发展——从籽晶诱导到无籽晶生长

  2. 文章综合概述了固相法晶体生长技术的发展过程与研究进展。首先, 回顾了在陶瓷烧结与冶金工艺中经常出现的晶粒异常长大现象, 以及由此发展起来的固相法晶体生长技术。对固相法晶体生长工艺和应用领域等进行了简要介绍, 对固相法晶体生长技术的典型应用案例和发展历程进行了叙述。然后, 着重介绍了一种新的固相晶体生长技术——无籽晶固相晶体生长技术。对无籽晶固相晶体生长技术在无铅铁电压电晶体—铌酸钾钠基晶体中的应用进行详细介绍, 并将该方法与常规的高温熔体法和籽晶诱导固相法晶体生长技术的特点进行了比较。最后, 在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：21mb
    • 提供者：weixin_38693720

  1. 生长温度对ZnO薄膜晶体质量和发光特性的影响

  2. 采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 ℃,300 ℃,400℃和500 ℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300 ℃时,ZnO具有最佳择优取向,随着衬底温度升高,衍射峰半峰全宽减小,薄膜晶粒尺寸增大,400 ℃时,薄膜具有各向等大的晶粒尺寸。同时拉曼谱结果显示,薄膜内部的缺陷随衬底温度变化无明显差别,应力表现为张应力,400 ℃时应力最小,紫外发光峰在衬底温度为400 ℃

  3. 所属分类：其它

  1. PVT法钨坩埚系统中自发生长自支撑AlN单晶及其表征分析

  2. 采用物理气相传输(PVT)法在AlN原料表面自发生长出大量毫米级尺寸的AlN单晶。本文对该工艺下AlN单晶的自然形貌、极性、杂质含量等进行了分析。实验及分析结果表明,在实验工艺条件下,原料表面生长的AlN晶粒具有规则的六方外形,晶粒沿C向择优生长且具有高的生长速率(约200~250 μm/h),但径向生长受限于{10-10}(m面)。不同颜色的AlN晶粒经机械切割及化学机械抛光(CMP)后,形成高表面质量的C轴取向抛光片。通过化学湿法腐蚀和SEM表征发现,淡黄色晶粒为Al极性晶体,暗棕色晶粒为N

  3. 所属分类：其它

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