Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术，即在键合的一片晶片上注入氢离子，然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时，氢离子注入处会形成连续的空腔，从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI最大缺点是难以获得较薄（< 100 nm）的硅膜, 这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为了解决这一问题，M. Bruel等提出的利用键合技术的智能剥离技术（Smart-cut）获得超薄的硅层[31],由于该项技术在超薄硅层制备方面的优势，得到了迅速的发展