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搜索资源 - 暗物质过量的AMS-02正电子和反质子
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在深色左右规模型中解释AMS-02正电子过量和μ子异常磁矩
在Dark左右规模型中,在广义R奇偶校验下,右手轻子doublet的中性成分是奇数,因此最轻的一个用作暗物质(DM)候选者。 暗物质与单电荷的希格斯三重态的共同an灭会产生正确的遗迹丰度。 通过将800 GeV暗物质通过附加电荷的三重态希格斯玻色子的t通道交换,将800 GeV暗物质ni灭为μ+μ-γ来解释AMS-02正电子过量。 DM是亲脂性的,这对于解释未观察到通常会因DM an灭而预期的任何反质子过量是有用的。 解释AMS-02所需的大横截面也需要天体物理学的推动。 此外,我们表明,μ子
所属分类:
其它
发布日期:2020-04-06
文件大小:544kb
提供者:
weixin_38503233
暗物质过量的AMS-02正电子和反质子
我们提出暗物质解释,以同时说明在AMS-02实验中观察到的反质子对质子和正电子功率谱的过量现象,同时具有正确的暗物质残留量并满足当前的直接搜索范围。 我们用隐藏的对称对称性SU(2)X扩展了希格斯三重态模型,该对称性被四重标量场打破为Z3,从而使关联的规范玻色子成为稳定的弱相互作用的大规模粒子暗物质候选物。 通过coupl
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-21
文件大小:326kb
提供者:
weixin_38582793