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搜索资源列表

  1. Microsoft Office Visio 科学图形包控件

  2. 概述 此下载提供近六百个科学图形，适用于Microsoft Office Visio 2007 及 Microsoft Office Visio 2003，涵盖了目前中学数、理、化三科教学中常用的各种形状和图形等。 这些图形被划分为如下三个学科、十一大类、约三十个子类： - 数学 代数：常用函数，指数、对数和幂函数，抛物线和双曲线 函数图表：图表，集合 几何：立体几何，平面几何，解析几何，圆和椭圆 三角学：角，三角函数 - 物理 电磁学：磁学，电气实验设备，电路图 光学：光波和光源，平面镜、透

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-11
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：yangdm0209

  1. 06有机化学实验思考题

  2. vgfdfcxvxcv规范多个规格古古怪怪好好高交会馆 无

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-27
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：qq1156027659

  1. 有机化学实验课件PPT

  2. 这个以幻灯片的形式作成的课件不仅向我们展示了有机化学的实验方法，更告诉了我们怎样去动手做！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-22
    • 文件大小：80kb
    • 提供者：wysxwdm

  1. visio2016科学图形包

  2. 此下载提供近六百个科学图形，Microsoft Office Visio 2016可用，涵盖了目前中学数、理、化三科教学中常用的各种形状和图形等。- 数学 代数：常用函数，指数、对数和幂函数，抛物线和双曲线 函数图表：图表，** 几何：立体几何，平面几何，解析几何，圆和椭圆 三角学：角，三角函数 - 物理 电磁学：磁学，电气实验设备，电路图 光学：光波和光源，平面镜、透镜和棱镜 力学：运输工具，运动，滑轮和杠杆 物理实验装置：实验装置，测量工具 - 化学 化学方程式及原理：化学方程式，电子和原

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2018-11-07
    • 文件大小：16mb
    • 提供者：qq_41670701

  1. 有机化学实验指导书

  2. 对有机化工类生产单位有很强的实用的指导作用，有利于在技术开发中很好的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-03-04
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：xcj_69071701

  1. 有机化学实验，大学课件

  2. 有机化学实验，课件，PPT，好用的。化学专用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-09-19
    • 文件大小：565kb
    • 提供者：hunshixian

  1. 大学化学师范课程有机化学实验问答

  2. 囊括了多个高校化学专业有机化学实验题目，一问一答

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-25
    • 文件大小：629kb
    • 提供者：ymcq_077

  1. 有机化学实验报告——甲基橙的制备

  2. 有机化学实验报告——甲基橙的制备，甲基橙的制备实验步骤，方法以及需要注意的事项

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-24
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：wsh53

  1. 基础有机化学实验

  2. 基础有机化学实验是一份整理发布的食品资料文档，只为你能够轻松获取基础有机化学实验而存在！...该文档为基础有机化学实验，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看

  3. 所属分类：其它

  1. 金属有机化学气相沉积脉冲生长技术制备GaN纳米棒的模型

  2. 提出并建立了基于气-液-固（VLS）和气-固（VS）模式在金属有机化学气相沉积脉冲生长中的组合效应的GaN纳米棒（NR）生长过程的理论模型。 特别地，通过引入用于表面沉积的孵育时间，提出了用于形成富含镓的线标记的VS-生长机制，其为我们提供了NR的生长时间。 公式化并进行了数值研究，研究并研究了镓液滴基本半径和长径比的演变以及析出的GaN体积在两段NR过渡过程中的增加，以显示与实验数据一致的结果。 在此过渡过程中，VLS和VS增长的相对贡献也得到了数值说明。 此外，对从{1–102}-到{1-1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：398kb
    • 提供者：weixin_38684335

  1. AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响

  2. 在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验。 通过优化AlN缓冲液的生长条件，GaN薄膜的（0002）半峰全宽和摇摆曲线分别提高到136和225 arcsec。 获得具有0.332nm的小均方根粗糙度的光滑表面，并且观察到优异的光学性质。 同时，在一定程度上通过增加AlN缓冲层的生长温度和厚度来降低GaN膜中的位错密度和拉伸应力。 此外，通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-03
    • 文件大小：768kb
    • 提供者：weixin_38508497

  1. 62%电光转换效率的高功率808 nm半导体激光器

  2. 针对半导体激光器的能量损耗情况，设计优化了半导体激光器的结构，改进了材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构，进而设计制作了808 nm大功率连续激光器芯片。25 ℃下，当输入电流10 A时，输出功率超过11.5 W，最大电光转换效率约62%。对5 W输出功率的808 nm激光器进行了老化实验，1000 h衰减小于2%。

  3. 所属分类：其它

  1. MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性

  2. 我们调查了生长温度的依赖性 客栈通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的薄膜。 实验结果表明，生长温度对合金的表面形貌，结晶质量和电学性能有很大影响。 客栈层。 生长温度的升高使ω扫描的半峰全宽（FWHM）变宽，并使表面形态变粗糙。 而电性能有所改善：随着温度的升高， 460 ℃ 到 560 ℃ ，室温霍尔迁移率从 98厘米2 / V·s至近 800厘米2 / V·s，载流子浓度从5.29×下降 10 19厘米-3至0.93× 10 19厘米-3 。 较高的生长温度导致更有效的NH 3裂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：681kb
    • 提供者：weixin_38613548

  1. 基于异变缓冲层与应变层超晶格的InP/GaAs异质外延

  2. 利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并进一步在正常InP外延层中插入In1-xGaxP/InP(x=7.4%)应变层超晶格。在不同低温GaAs缓冲层厚度、应变层超晶格插入位置及应变层超晶格周期数等条件下, 详细比较了InP外延层(004)晶面的X射线衍射谱, 还尝试插入双应变层超晶格。实验中, 1.2 μm和2.5 μm厚InP外延层的ω扫描曲线半峰全宽仅370 arcsec和219 arcs

  3. 所属分类：其它

  1. 带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器

  2. 在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收, 防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD), 是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构, 通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口。实验发现扩散温度550 ℃, 扩散时间20 min时, 得到的非吸收窗口最为有效, 激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW, 超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍, 激光器的斜率

  3. 所属分类：其它

  1. 大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性

  2. 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器, 测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nm InGaAs SQW激光器在30～70 ℃范围内的P-I-V特性曲线, 对比分析了两种材料系980 nm激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化, 并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验。

  3. 所属分类：其它

  1. GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺

  2. 以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20％的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2-3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。

  3. 所属分类：其它