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Fox_li 迭代MATLAB程序
模拟激光谐振腔模式 %————初始化—————————————lm=632.8e-9; %波长L=100*lm; %腔长a=25*lm; %腔镜线宽k=2*pi/lm; %波失x1=linspace(-a,a,1000);%取1000个点积分Un_n=zeros(1,1000);Un_n_1=Un_n;%———求解第一次的迭代结果——————for m=1:1000 x=x1(m);y=exp((-i*k*(x-x1).^2)/(2*L));Un_n(m)=sqrt(i/(pi*L)*exp(
所属分类:
其它
发布日期:2010-11-21
文件大小:20kb
提供者:
abclala
用matlab算法求解条形腔的模场分布
用fo-li迭代算法求解条形腔的模场分布
所属分类:
软件测试
发布日期:2011-05-24
文件大小:40kb
提供者:
andry1990
激光原理课程设计源代码
激光原理课程设计源代码,用 matlab 实现条形腔和矩形腔的自近似解再现
所属分类:
其它
发布日期:2013-07-16
文件大小:12kb
提供者:
u010340843
激光谐振腔模式模拟
用matlab实现界面化的激光谐振腔模式模拟, 包括条形腔,矩形腔,圆形腔,倾斜腔多种腔型的模拟。
所属分类:
C/C++
发布日期:2013-09-09
文件大小:138kb
提供者:
u010988040
单瓣近衍射极限输出的带外腔半导体激光器
实验研究了带外腔反馈注入的宽接触条形激光器,并用光线传输矩阵分析了该外腔结构。利用闪耀光栅及耦合输出反射镜对表面未镀增透膜的半导体激光器构成外腔,选择一定模式的激光反馈注入回激光器,从而限制了其他模式在半导体激光器内的振荡,压缩了激光器输出激光的光谱宽度。当激光器驱动电流为2.7倍阈值电流时,获得230 mW输出功率,0.6 nm谱宽,单瓣近衍射极限的激光输出。用一平面镜代替光栅作为外腔反射镜,获得了320 mW输出功率,1.5 nm谱宽的单瓣近衍射极限的激光输出。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-26
文件大小:510kb
提供者:
weixin_38623000
集成GaAs-(CaAl)As双平面条形激光器的模式行为
本文研究了集成GaAs-(GaAl)As双平面条形激光器的模随驱动电流和温度的变化,讨论和分析了通过波导耦合的两个有源腔的相互作用以及横模不稳定性对单纵模工作的影响.
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-25
文件大小:6mb
提供者:
weixin_38625708
单模大功率GaAlAs-GaAs激光器
一般讲,如果只考虑器件的功率特性,则制造大功率激光器并不太困难。但要想制出同时具有大功率和稳定单纵模与横模的激光器则很难。然而,在诸如高速激光印刷、光盘记录以及远距离空间通信等许多应用中,偏偏要求激光器具备这些特性。为了满足大功率及稳定模式的要求,人们已研制出许多种结构的激光器。这些结构包括压缩双异质结大光腔(CDHLOC)、掩埋条形异质结构(SBH)、 窗口条形(WS)、沟槽衬底平面结构(CSP)以及双边衬底(TRS )等。所有这些激光器的激光功率都可以超过50 mW/面。但是,在输出功率超过
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-25
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38694674
用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器
单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器,其电流阈值为300亳安(室温,脉冲工作),比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时,接近单模运转,这巳用~180微米的腔长获得。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-25
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38552305
焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响
针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响。模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点。随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高。位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-13
文件大小:873kb
提供者:
weixin_38538472
多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出
设计并研制了一种多单元半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用分子束外延(MBE)方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用4只准直的单条形大功率半导体激光器,器件腔长为2 mm,发光区宽度为100μm,单条形器件的连续输出功率为5.0 W,每两只单条形器件的准直输出光束经过空间合束后再通过偏振合束,实现了多单元器件输出的高光束质量功率合成,采用简单的平凸透镜实现了合束光束与100 μm芯径、数值孔径(NA)0.22石英光纤的高效耦合,耦合效率
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-12
文件大小:614kb
提供者:
weixin_38748207
倾斜脊形波导集成超辐射光源
在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上,增加了脊形波导结构,制得了新型的1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源.发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力.在可测试范围内,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下,未见激射模式的出现,大大地提高了超辐射功率的输出.最大峰值功率已达到110mW.
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-11
文件大小:197kb
提供者:
weixin_38675969
大功率体光栅外腔半导体激光器的输出特性
宽条形大功率半导体激光器(LD)存在光谱温漂系数大、光谱宽度宽的缺点,为了改善宽条形大功率半导体激光器的光谱特性,采用一种体光栅(VBG)离轴外腔方法实现了宽条形大功率半导体激光器光谱特性的明显改善和高效率工作。宽条形半导体激光器的外腔结构主要包括激光器输出光束的快、慢轴准直光学透镜和离轴放置的体光栅。宽条形半导体激光器的激射条宽为100 μm,当激光器工作电流为4.0 A时,外腔激光器的输出功率高达3.4 W,斜率效率为1.0 W/A,光谱宽度由自由出射条件下的2~3 nm减少为0.2 nm,
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-10
文件大小:794kb
提供者:
weixin_38715048
非对称补偿条形复合腔半导体激光器列阵
本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到了直到1.6I_(th)、发散角仅为3~4°的单瓣远场图样.
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-09
文件大小:3mb
提供者:
weixin_38704857
用湿化学蚀刻法制造的GaAlAs短腔激光器
使用化学蚀刻新工艺,已制造出阈电流为30亳安的GaAlAs短腔条形激光器,该工艺采用了多层金属掩模。这种激光器长为23微米,宽为12微米,在蚀刻面上没有反射涂层。在脉冲条件下获得了准单模运转。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38633967
半导体激光器谐振腔
目前半导体激光器的发展有三个主要动向,第一,研制与低损耗、低色散光纤相适应的长波长(1~1.5 μm)激光器;第二,研制各种条形结构,以获得低阈值、线性好、单模长寿命激光器件;第三,设计各种谐振腔,改进激光器模结构,获得单模运转以及适合于光通讯及集成光学对光源的要求。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38628552
(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因
对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-06
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38741317
长腔半导体激光器中的纵模行为
实验发现并从理论上证明腔长很长的质子轰击条形GaAs-GaAlAs激光器,能在阈值以上某较宽电流范围内实现稳定单纵模工作.
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-06
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38592847
2 kW射频板条CO
针对2 kW射频板条CO2激光器离轴负支非稳波导混合腔的近场分布存在较多高空间频率分量,导致聚焦后会产生不可忽略的旁瓣,无法直接应用于激光加工的问题,对谐振腔的近场分布使用特征向量法和矩形波导的解析表达式进行了数值模拟和实验研究。并结合Collins公式研究了输出光束整形过程中光场分布的变化和整形系统中空间滤波器的优化设计。理论和实验结果表明:激光器输出光束在整形前为有较多高空间频率振荡的长条形的简单象散光束。通过带空间滤波器的整形系统消除旁瓣,并将初始的长条形的简单象散光束整形成近圆形、近基模
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-05
文件大小:4mb
提供者:
weixin_38734008
20 kHz窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器
采用多量子阱掩埋条形(BRS)增益芯片和拉锥光纤布拉格光栅(FBG),制作了1.5 μm 波段FBG 外腔式窄线宽半导体激光器。封装后器件实现了全电流范围内稳定单模窄线宽激光输出。30~250 mA 驱动电流下线宽小于15.48 kHz,实测最小线宽为6.42 kHz,频率稳定度为7.2×10-8/s,边模抑制比大于40 dB,最大出纤功率大于10 mW。这种集成窄线宽激光器性能优异,且制作成本低,工艺简单,适于批量生产,可应用于400 Gb/s相干通信系统的发射源与接收机本振源。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-04
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38690830
基于磁性聚合物薄膜的光纤磁场传感探针
为了获得一个高灵敏度法布里-珀罗干涉仪光纤磁场传感探头,采用紫外光固化方法在单模光纤端面集成一个弧形磁性聚合物薄膜。利用条形磁铁作为场源,对干涉仪的腔长和折射率进行调制,对干涉峰峰值波长位置进行监测,实现对磁场强度的传感探测。将磁铁分别垂直和平行于传感探头放置,实验测得传感结构的灵敏度分别为46.77 pm·mT -1 和56.37 pm·mT -1。该传感器具有成本低、制作方便、灵敏度高、稳定性好等特点,在生物医疗、信息技术等领域有着广泛的应用前景。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-26
文件大小:4mb
提供者:
weixin_38631049