建立了一个基于单平面近似的极紫外(EUV)光刻三维含缺陷掩模的快速仿真模型。该仿真模型中，采用相位突变和振幅衰减表示缺陷对多层膜的反射系数的影响，吸收层模型采用薄掩模修正模型。以22 nm 三维接触孔图形为例，周期为60 nm 时，该仿真模型与波导法严格仿真相比，仿真速度提高10倍以上，而关键尺寸(CD)仿真误差小于0.6 nm。基于该仿真模型，对掩模缺陷进行了补偿计算，得到了与严格仿真一致的最佳图形修正量。针对不同的缺陷形态尺寸，提出了缺陷的可补偿性的概念，并进一步讨论了二维图形的缺陷的可补偿

提出了一种基于机器学习参数校正的极紫外光刻三维含缺陷掩模仿真方法。本方法采用随机森林、K近邻等机器学习方法，对基于结构分解法的含缺陷掩模衍射谱快速仿真模型的参数进行动态校正，提高了模型的精度及适应性。以严格仿真为标准值，对随机设定的50组接触孔掩模进行仿真验证，结果表明，经参数校正后，快速模型的空间像仿真精度平均提升了45%，且参数校正前、后的快速模型仿真精度皆优于所对比的改进型单平面近似法(平均仿真精度分别提升4.3倍和8.7倍)。此外，在对像面周期为44 nm掩模的缺陷补偿仿真应用中，在仿真