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搜索资源列表

  1. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  2. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-18
    • 文件大小：353280
    • 提供者：fanshowtime

  1. IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用2.pdf .zip

  2. IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用2.pdf .zip

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-09
    • 文件大小：149504
    • 提供者：xiaosong757

  1. IGBT栅极特性与参数提取

  2. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种电力电子装置中已得到了广泛的应用，但是长期以来对于其内部参数的提取缺乏有效的手段，从而影响了其仿真模型的应用以及使用水平的提高。 本文对·IGBT栅极的传统平面结构和新型沟槽结构进行了比较，基于其工作机理与半导体物理方程进行了理论分析和公式推导，在分析现有方法不足的基础上提出了IGBT栅极各个参数提取的一些新方法，并且针对某一型号具体器件在不同工作条件下进行了提取实验，所得到的参数值都具有较好的一致性，同时也证明了该方法的准确性。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：500736
    • 提供者：yygw1

  1. 高压浮动MOS栅极驱动集成电路应用手册(中文)

  2. 高压浮动MOS栅极驱动集成电路应用手册(中文)

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-09-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：congzhefei12

  1. 栅极驱动电路\场效应管驱动电路研究

  2. 探讨了功率场效用管(MO SFET ) 的栅极驱动问题, 总结了三种在实际中很有应用价值的栅极驱动 电路。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-05-03
    • 文件大小：140288
    • 提供者：sun_19880715

  1. IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

  2. IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-07-20
    • 文件大小：136192
    • 提供者：u013346007

  1. 高K-金属栅极在开发纳米设备中的作用

  2. 英特尔的研发流程将继续遵循摩尔定律，在不远的将来会继续的遵循摩尔定律，英特尔的技术英语在世界的工厂中，英特尔在中国有很多合作和研发，45纳米高k加上金属栅极是最重大的创新。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38709511

  1. 高K-金属栅极和它的MOSFET特性

  2. 我们从高K-金属栅极的表面现象拓展实验验证、TiN膜厚的等离子体处理以及CMOS器件等方面来茶树高K-金属栅极和它的MOSFET特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：145408
    • 提供者：weixin_38722944

  1. 英特尔发布高K-金属栅极技术

  2. 英特尔最新的基于铪的高-K金属栅极技术被英特尔公司联合创始人摩尔称赞为晶体管技术40年发展史上所取得的最大进步。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38747087

  1. 高K-金属栅极应用实现晶硅和非晶硅纳米技术

  2. 英特尔的技术英语在世界的工厂中，英特尔在中国有很多合作和研发，45纳米高k加上金属栅极是最重大的创新。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：927744
    • 提供者：weixin_38722607

  1. 用于高性能CMOS晶体管的高K-金属栅极

  2. 英特尔公司为了将研制成功的高-k栅介质+金属栅极晶体管应用于微处理器芯片的规模量产，做到集成到45纳米CMOS制程中达到高性能整体的低漏电满足高可靠性要求工艺可量产和精确拷贝。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：404480
    • 提供者：weixin_38631401

  1. 离子推力器阶梯状结构栅极系统性能分析

  2. 离子推力器阶梯状结构栅极系统性能分析，陈茂林，夏广庆，阶梯状栅极结构是一种新型离子推力器栅极构型。采用三维PIC仿真方法对阶梯状结构栅极系统等离子体输运过程进行仿真，并与传统结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：685056
    • 提供者：weixin_38608866

  1. 基于栅极电压监测的IGBT键合线剥落故障在线检测

  2. 基于栅极电压监测的IGBT键合线剥落故障在线检测，陈永淑，周雒维，论文基于键合线剥落前后栅极电压信号的分析对比，提出了一种IGBT故障在线检测方法。首先理论分析了IGBT的动态特性，明确了栅极电压�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-28
    • 文件大小：527360
    • 提供者：weixin_38538264

  1. 脉冲变压器MOSFET栅极驱动电路分析与仿真.pdf

  2. 脉冲变压器MOSFET栅极驱动电路分析与仿真pdf,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：928768
    • 提供者：weixin_38744153

  1. IGBT 驱动器中栅极电阻 Rg 的选取方法

  2. 详细介绍IGBT 驱动器中栅极电阻 Rg 的选取方法和栅极电阻功率确定，以及相关注意事项。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-12
    • 文件大小：250880
    • 提供者：hxt217

  1. IR2136是功率MOSFET和IGBT专用栅极集成驱动电路

  2. IR2136是功率MOSFET和IGBT专用栅极集成驱动电路，它可以驱动工作在母线电压高达600 V的功率开关器件。它带有3个独立的高压侧和低压侧输出通道，其内部采用自举技术，仅需要一个直流电源，就可输出6路功率开关器件的驱动脉冲，仅需要一个直流电源，使其实现了对功率MOSFET和IGBT的最优驱动，简化了整个驱动电路的设计。而且IR2136驱动芯片内置死区电路，以及过流保护和欠压保护等功能。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2015-08-04
    • 文件大小：912384
    • 提供者：jxspgwbj

  1. MOSFET管栅极阻尼电阻的选择

  2. 从电子电路最基础的理论知识出发，通过理论分析MOSFET场效应管栅极阻尼电阻Rg的选择，为实际的设计提供理论依据。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-11-11
    • 文件大小：155648
    • 提供者：stanleysit

  1. 供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则

  2. 供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：lzlzl0660

  1. 射频中常用的调用函数（画等Q线、画Smith圆、ABCD矩阵转化为S矩阵、计算稳定性、共源极S参量转化为共栅极S参量）.zip

  2. 射频中常用的调用函数（画等Q线、画Smith圆、ABCD矩阵转化为S矩阵、计算稳定性、共源极S参量转化为共栅极S参量）

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2020-06-16
    • 文件大小：13312
    • 提供者：llory

  1. 测量场效应管栅极和漏极

  2. 测量场效应管栅极和漏极 在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38668243
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