我们研究了梯度掺杂GaN光电阴极的光发射过程，发现内置电场可以增加光生电子的逸出概率和有效扩散长度，从而提高了量子效率。 还研究了高电场下的区间散射机制和晶格散射机制。 为了防止出现负微分迁移率，需要优化表面掺杂浓度，其计算值为3.19 x 10（17）cm（-3）。 通过进一步优化掺杂分布，可以实现具有更高性能的渐变掺杂GaN光电阴极。