美国伦斯勒理工学院中国博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术，有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管，目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。 　　Huang出身低微，是中国乡下一位农民的儿子，2001年毕业于北京大学，2003年获伦斯勒理工学院硕士学位，这两天将拿到伦斯勒理工学院博士学位。 　　一些基于镓的材料具有某些极其出色的电气特性，远远优于硅，但是要制造出晶体管来比较困难，Huang开发出了一种使用镓氮化物（GaN）混合材料的新晶体管，它具有非常好的物理属性，