无处不在的无线技术为高集成度电路创造了市场需求，比如发信机、接收机，以及片上频率合成器等。硅CMOS技术把这种集成变为可能，然而功率放大器(PA)却是个例外，它仍然是用非CMOS技术实现的典型。硅CMOS 功率放大器能够同其它无线构建模块紧凑集成到一起是再理想不过了。下面就是一些CMOS PA设计方案。 　　功率放大器涉及到许多不同参数的分配，包括附加功率效率(PAE)、线性度、最大输出功率、最大稳定增益、输入/输出匹配、散热和击穿电压。与许多RF组件设计技术一样，这些要求常常彼此矛盾，例如，