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搜索资源列表

  1. misc 1.6 provision模拟端

  2. 一款非常好的misc1.6模拟端 misc 1.6 provision 正向同步 取消 退订 反向订购 退订 取消

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2009-06-14
    • 文件大小：451584
    • 提供者：mysoftel

  1. 移动正向测试工具Provision

  2. 移动短信MISC1.6Provision订购关系同步接口测试程序。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-01-20
    • 文件大小：185344
    • 提供者：asbbfu

  1. 开关磁阻电动机两相同步励磁与定子绕组模式研究

  2. 以4/6极三相开关磁阻电动机和6/8极四相开关磁阻电动机为研究对象,分析了三相、四相开关磁阻电动机的绕组布置结构和相间连接方式对两相同步励磁下的磁场以及转矩脉动和平均转矩的影响,给出了8种典型组合模式下两相同步励磁工作的电动机转矩特性,指出三相反向绕组、各相独立连接模式,三相正向绕组、相间星形连接模式,四相反向绕组、各相独立连接模式和四相反向绕组、相间星形连接模式下的两相同步励磁能够降低转矩脉动和提高平均转矩。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-12
    • 文件大小：299008
    • 提供者：weixin_38648396

  1. 自驱动方式是最简单的同步整流

  2. 自驱动方式是最简单的同步整流驱动方式。图示于图1中。两个二极管DF及DR由MOSFET QF及QR取代。在自驱动技术中，变压器二次侧电压用于驱动同步整流元件QF及QR的栅极。在图1中，虽然没有展示出，但在变压器的二次侧可以用独立的绕组去驱动正向同步整流的QF或回流的同步整流的QR，这可通常用与初级绕组的不同匝数比的绕组做为栅驱动绕组。这种方法适用于输出电压更高的场合。 图1 自驱动同步整流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：21504
    • 提供者：weixin_38517892

  1. MDA模型转换的同步技术

  2. 给出一种源模型和目标模型间的链接技术及其实现方法，该方法能很好地实现源模型和目标模型间的双向可追踪。既可以对源模型的更新执行正向转换，还可以实现目标模型向源模型的逆向转换。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38665193

  1. 元器件应用中的LTC3766：具有卓越瞬态响应的同步正激式控制器芯片

  2. LTC3766同步正激式控制器芯片组采用一种专利的方法，消除了具备有源箝位复位的正向转换器之性能，限制以及对其可靠性的担忧。利用分立式控制器开发自己的解决方案，而且能灵活地满足各种苛刻的要求，特殊的外形尺寸或非标准输入。尤其是具备有源箝位复位的正向转换器，由于其卓越的效率和更低的组件压力，已经广泛用于定制电源中。预制的隔离式 DC/DC 转换器和模块提供了简单但相对昂贵的解决方案。不过，现成有售的设计可能无法提供全部所需功能，因此在很多应用中，需要定制设计。 　　芯片组含有实现有源箝位变压器复

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：130048
    • 提供者：weixin_38658086

  1. 分析MOSFET功耗产生机制，提高同步整流效率

  2. 隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗。因此，只有利用同步整流（SR），才可能将开关电源（SMPS）的系统总体能效提高至90%。要实现理想的开关性能，必须充分理解SRMOSFET的功耗产生机制。本文分析了SRMOSFET的关断过程，并且提出了一个用于计算功耗以优化系统能效的简单模型。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：338944
    • 提供者：weixin_38720653

  1. 为同步整流选择最优化的MOSFET

  2. 隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗，因此，只有利用同步整流（SR）才可能达到这些标准要求的能效水平。用MOSFET替代二极管引发了新的挑战——优化系统能效和控制电压过冲。本文介绍了通过确定优化MOSFET的负载电流及借助四象限SR器件优化表，帮助选择最佳MOSFET的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 凌力尔特推出100V 同步正向控制器

  2. 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出主边同步正向控制器 LT8310.该器件在 6V 至 100V 的输入电压范围内工作，面向功率高达 200W 的应用，并为副边同步整流提供一个驱动信号以改善效率。 　　该器件无需使用光耦合器就可提供 ±8% 的输出电压调节。当使用光耦合器时，可实现 ±1.5% 的调节。可编程伏-秒箝位提供了变压器复位保护以防止饱和并保护 MOSFET.这一功能优化了变压器和 MOSFET,从而减小了解决方案尺寸。 　　LT83

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38614268

  1. DIALOG推出用于电源适配器的最新同步整流器

  2. 高集成电源管理、AC/DC、固态照明和蓝牙智能无线技术提供商Dialog半导体有限公司日前发布iW671同步整流器，用于为移动设备打造小巧、功率更高的电源适配器。iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管，并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用，所达效率超过88%。同时，强劲有力的小型适配器可满足更高的功率密度需求，而且不会超过温度限值。 　　传统电源使用Schottky二极管整流输出电压（将AC电压转变为DC电压）。通过使用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38673921

  1. Dialog新增同步整流器产品拓展AC/DC系列

  2. Dialog半导体发布 iW671 同步整流器，用于为行动设备打造小巧、功率更高的电源整流器。 iW671 使用效率更高的 MOSFET 取代传统电源中的二次侧萧特基二极体，并与Dialog iW1786 或 iW1787 一次侧控制器配合使用，提供88%以上的效率，因而实现更加强大的小型配接器所需的更高的功率密度，而且不会超过温度限值。 　　传统电源使用Schottky二极体整流输出电压（将AC电压转变为DC电压）。使用一个同步整流器替代Schottky二极体时，开关 MOSFET 上的压降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38571544

  1. 缓冲正向转换器可消除振铃

  2. 您是否一直为如何挑选缓冲器组件而烦恼?计算出要添加多少电容和电阻是一项颇具挑战性的工作。下面就来介绍一条解决这一难题的捷径。图 1 显示了正向转换器的功率级。该转换器由变压器运行，该变压器将输入电压耦合至次级电路，再由次级电路完成对输入电压的整流和滤波。反射主电压和变压器漏电感形成低阻抗电路，当 D2 通过一个这样电阻而被迫整流关闭 (commutate off) 时，通常需要一个缓冲器。D2 可以是一个硅 p-n 二极管，该二极管具有一个必须在其关闭前实现耗尽的逆向恢复充电功能。这就积累 (l

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：176128
    • 提供者：weixin_38748556

  1. 如何设计面向大降压比应用的同步降压转换器

  2. DC-DC降压转换器已在工业领域得到了广泛应用，其中最常用到的拓扑便是降压转换器。半导体技术的发展使得现今的电子设备能在越来越低的3.3V、2.5V、1.8V甚至低至1V电压下工作。。传统采用一个二极管的降压转换器的转换效率很低，尤其是在较低的输出电压下，原因是由于二极管通常会消耗不少的功率，其典型正向电压降为0.35V~0.5V，从而造成了较大比例的功率损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：236544
    • 提供者：weixin_38622149

  1. 模拟技术中的采用缓冲正向转换器消除振铃

  2. 您是否一直为如何挑选缓冲器组件而烦恼?计算出要添加多少电容和电阻是一项颇具挑战性的工作。下面就来介绍一条解决这一难题的捷径。图 1 显示了正向转换器的功率级。该转换器由变压器运行，该变压器将输入电压耦合至次级电路，再由次级电路完成对输入电压的整流和滤波。反射主电压和变压器漏电感形成低阻抗电路，当 D2 通过一个这样电阻而被迫整流关闭 (commutate off) 时，通常需要一个缓冲器。D2 可以是一个硅 p-n 二极管，该二极管具有一个必须在其关闭前实现耗尽的逆向恢复充电功能。这就积累 (l

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：203776
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 电源技术中的自驱动同步整流简介

  2. 自驱动方式是最简单的同步整流驱动方式。图示于图1中。两个二极管DF及DR由MOSFET QF及QR取代。在自驱动技术中，变压器二次侧电压用于驱动同步整流元件QF及QR的栅极。在图1中，虽然没有展示出，但在变压器的二次侧可以用独立的绕组去驱动正向同步整流的QF或回流的同步整流的QR，这可通常用与初级绕组的不同匝数比的绕组做为栅驱动绕组。这种方法适用于输出电压更高的场合。 图1 自驱动同步整流 　　图2给出谐振复位正激自驱动同步整流工作于连续导通型的波形图，画出QF、QR的源漏电压的工作波形

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：147456
    • 提供者：weixin_38688906

  1. 电流型自驱动同步整流

  2. 早在十几年前电流型自驱动同步整流技术就已经被提出来了，但那时开发采用MOS管的SR DC/DC PWM转换器，开关频率还比较低，只有25 kHz，现在已有几百千赫。图1 所示为早期电流型自驱动SR的电路框图。 　　图中电流检测元件可以用电流互感器，初级绕组W1与SR串联，检测出流过SR的电流；次级绕组W2（经过一个电压钳位电路，图中未画出）产生驱动电压，接到SR的G、S端。在正向电流流过时，SR导通；在电流反向时，SR关断。电流检测元件有附加损耗，因此应尽量减小检测元件的电压降。1999年我国

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：150528
    • 提供者：weixin_38635794

  1. 电源技术中的同步整流管的主要参数/SR的体二极管恢复时间trr

  2. 功率MOS管有寄生的二极管，称为体二极管，其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns，希望皿体二极管的trr也和SBD一样，能控制在10 ns左右。 　　此外，体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正比，一般UF≈1V，远大于功率MOS管本身的正向压降。因此，为了减少寄生二极管产生的附加损耗，在工作过程中应使负载电流尽量避免流过SR的体二极管，即使有电流流过，也要尽量减少在体二极管中的流通时间，如果体二极管能保持在阻断状态，SR可以很快由

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38655990

  1. 电源技术中的同步整流管的主要参数/R的功耗

  2. SR的功耗，可以用式（7－5）近似表示： 　　式中 第一项——正向通态损耗，其中IFrms为正向电流有效值； 　　       RDS（on）——功率MOS管的通态电阻； 　　       第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗，其中f为开关频率； 　　       Cin——等效输人电容；              UGs——门极驱动电压。 　　由式（7-5）可知，SR的功耗与RDS(on)和Cin有关，在工程上用两者的乘积表示SR的损耗大小： 　　式

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38545961

  1. 电源技术中的凌特推出同步降压-升压 DC/DC 转换器

  2. 凌特公司（Linear Technology）推出同步降压-升压 DC/DC 转换器 LTC3453，并专门针对由单节锂离子电池输入、为高达 500mA 的电流驱动大电流白光 LED 进行了优化。该稳压器根据输入电压和 LED 最大正向电压的不同，可自动选择以同步降压、同步升压或降压­升压模式工作。这在大电流 LED 应用中尤其重要，因为 LED 正向电压根据电流值和 LED 容限的不同，能从 2.7V 至 4.9V 变化。LTC3453 的降压-升压拓扑在 2.7V 至 4.2V 的整

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38572960

  1. 电源技术中的安森美首款集成型同步整流器适用于开关电源

  2. 安森美半导体公司(ON Semiconductor)宣布推出业内首款集成型同步整流器——NIS6111。该集成方案帮助需采用分离组件来达到高功率密度的设计人员解决所面临的难题。 　　　　NIS6111是一款高速高效混合整流器，它将高速比较器和MOSFET驱动器与功率MOSFET耦合在一起，产生一个与MOSFET具有相同正向压降特性的二极管。其阻断电压达24V，典型正向电压降0.1V，正向电流20A。阻断电压60V和100V的版本将于2005年末推出，以扩展BERS系列。 　　　　除了采用开关电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38501810
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