通过平面图和截面透射电子显微镜（TEM）研究了高温氢化物气相外延（HT-HVPE）在（0 0 0 1）蓝宝石上用三种不同类型的缓冲层（BLs）生长的AlN薄膜的微观结构。 ）。 通过在1350°C下的HVPE，在1050°C下的MOCVD和在1050°C下的HVPE来生长缓冲层。 缓冲层的微观结构和面内取向错误与AlN薄膜的晶体质量和位错演变有关。 采用莫尔条纹法定量分析了缓冲层的取向差角和平均晶粒尺寸。 HVPE在1350°C下生长的缓冲层被认为是单晶的，但是在1050°C下通过MOCVD或H