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  1. 水热条件下氧化硅-氧化铝载体结构、织构及表面性质的演变

  2. 水热条件下氧化硅-氧化铝载体结构、织构及表面性质的演变,李海涛,吴君璧,以氧化铝为载体,正硅酸乙酯为硅源,采用等体积浸渍法,制备了一系列不同硅含量的氧化硅-氧化铝材料,对其进行水热处理,利用XRD�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-13
    • 文件大小:457kb
    • 提供者:weixin_38587705
  1. 热处理后GO/MnO2电极材料微观结构对电容增效的影响

  2. 热处理后GO/MnO2电极材料微观结构对电容增效的影响,王令云,王勇,不同温度下热处理氧化石墨烯(graphene oxide, GO), 并按20wt%含量将其与MnO2复合, 制得GO/MnO2复合材料。 采用扫描电镜(SEM), X射线衍射(XRD)及傅里
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-30
    • 文件大小:448kb
    • 提供者:weixin_38656400
  1. 纯锆表面羟基磷灰石纳米针的制备及表征

  2. 纯锆表面羟基磷灰石纳米针的制备及表征,张兰,朱少妤,本文采用微弧氧化与水热处理技术在锆合金表面制备了
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-12-28
    • 文件大小:722kb
    • 提供者:weixin_38524139
  1. 45钢和T10钢热处理实验

  2. 采用布氏硬度计对原始试样进行硬度测试,共测三次取平均值。注意试样表面应光滑平坦,不应有氧化皮及油污等。本实验可用砂纸打磨后用丙酮清洗干净后进行测量。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2014-06-18
    • 文件大小:477kb
    • 提供者:qq_16658981
  1. 一种薄壁衬套加工及其夹具设计

  2. 薄壁衬套是某型航空发动机火焰筒上的一个零件,加工难度较高(材料为GH140,属铁―镍基高温合金)。为了加工出符合图样要求的零件,必须编制合理的工艺线路,并设计必要的夹具。   一、衬套的主要技术要求   如图1所示,衬套的几何尺寸及公差,表面粗糙度都有较高的要求。在加工完后还须进行热处理渗铝。   图1 衬套   二、衬套的加工工艺分析   由于衬套的材料是铁―镍基高温合金,此种合金具有良好的抗氧化性,有高的塑性和韧性,足够的热强性和良好的热疲劳性,是一种难加工材料。由图1可知,当
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:145kb
    • 提供者:weixin_38692631
  1. 键合SOI

  2. 硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合,将两个硅抛光片(其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理,然后在室温下贴合在一起,通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应,生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体;(2)减薄,减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的SOI材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明, 亲
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:41kb
    • 提供者:weixin_38631329
  1. 氧化及热处理

  2. 硅氧化成二氧化硅工艺是集成电路工艺的又一个重要的工艺步骤。氧化工艺之所以重要是因为在集成电路的选择掺杂工艺中,二氧化硅层是掺杂的主要屏蔽层,同时由于二氧化硅是绝缘体,所以,它又是引线与衬底,引线与引线之间的绝缘层。 氧化工艺是将硅片置于通有氧气气氛的高温环境内,通过到达硅表面的氧原子与硅的作用形成二氧化硅。改进的氧化炉 在表面已有了二氧化硅后,由于这层已生成的二氧化硅对氧的阻碍,氧化的速度是逐渐降低的。由于硅和二氧化硅的晶格尺寸的差异,每生长1μm的二氧化
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:31kb
    • 提供者:weixin_38739942
  1. 非晶态Nb氧化物纳米薄膜可见光区的光致发光

  2. 在低真空及亚高温(200-300 ℃)下,通过热氧化法在Si单晶基底上合成了呈准直阵列的椎形结构的氧化铌(NbOx)非晶结构纳米薄膜,薄膜经热处理后室温下在可见光区具有很好的光致发光。实验研究了退火温度与发光强度规律,对铌氧化物纳米薄膜的光致发光(PL)机制进行了初步分析和讨论。变功率光致发光(PL)实验有力地支持了初步讨论结果。
  3. 所属分类:其它