氧化石墨烯薄膜中的非易失性电阻转换机制

在通过真空过滤方法制备的氧化石墨烯（GO）薄膜中观察到可靠且可再现的电阻切换行为。 Cu / GO / Pt结构的开/关比约为20，保留时间大于10（4）s，开关阈值电压小于1 V.通过考虑解吸/ GO片上氧相关基团的吸收以及顶部电极的扩散。 我们的实验表明，GO对于将来的非易失性存储器应用可能很有用。