设计并制备了结构为掺锡氧化铟(ITO)/氧化锌(ZnO)/纳米多孔硅柱状阵列(NSPA)/Si/Al 的纳米异质结发光二极管(LED)，实现了近白光电致发光(EL)。利用蒸气刻蚀技术，在P-Si表面制备NSPA层。对NSPA表面进行氧等离子体钝化处理，通过优化钝化参数改善了硅基NSPA的发光特性。在NSPA表面生长N型ZnO薄膜，得到ZnO/NSPA纳米异质结LED。实验结果表明，氧等离子体钝化处理能够有效地提高该器件的发光强度,并实现近白光发射。