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搜索资源列表

  1. 磷酸锆结合氮化硅多孔陶瓷的高温力学性能

  2. 磷酸锆结合氮化硅多孔陶瓷的高温力学性能，吴俊彦，沈强，本文采用磷酸锆化学结合的方法制备了磷酸锆结合氮化硅多孔陶瓷，研究了材料的高温抗弯强度和高温蠕变性能。结果表明：该多孔陶瓷

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-20
    • 文件大小：871kb
    • 提供者：weixin_38612811

  1. α-Si3N4晶种对层状多孔氮化硅陶瓷性能的影响

  2. α-Si3N4晶种对层状多孔氮化硅陶瓷性能的影响，鲁元，杨建锋，利用二氧化硅在氮气中的碳热还原反应，原位制备氮化硅多孔陶瓷。由于反应中存在大量的质量损失，烧结后可望形成高气孔的材料。通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：924kb
    • 提供者：weixin_38722184

  1. 光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响

  2. 光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响，陈小波，杨培志，采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法，在单晶硅衬底和石英衬底上制备富硅SiNx薄膜.为了比较，在氮气氛围中，于950-1100℃温度下分别�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-17
    • 文件大小：785kb
    • 提供者：weixin_38701640

  1. 氮化硅添加对定向梯度多孔碳化硅陶瓷制备的影响

  2. 氮化硅添加对定向梯度多孔碳化硅陶瓷制备的影响，刘波波，杨建锋，利用高温重结晶工艺以氮化硅做造孔剂成功制得定向梯度多孔碳化硅陶瓷，研究Si3N4添加量对定向多孔碳化硅陶瓷组织结构和性能的影响�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-16
    • 文件大小：569kb
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 氮化硅薄膜力学性能的纳米压痕测试与分析

  2. 氮化硅薄膜力学性能的纳米压痕测试与分析，张良昌，许向东，纳米压入法在薄膜材料力学性能测试领域中有着广泛的应用。本文利用纳米压入技术对PECVD氮化硅（SiNx）薄膜的力学性能进行了测量与分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：258kb
    • 提供者：weixin_38618521

  1. 有机添加剂对多孔氮化硅陶瓷挤出成型工艺的影响

  2. 有机添加剂对多孔氮化硅陶瓷挤出成型工艺的影响，于方丽，王欢锐，通过添加不同的有机添加剂，采用挤出成型工艺，制备出性能优良的多孔氮化硅陶瓷。研究有机添加剂对多孔氮化硅陶瓷挤出成型工艺的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：469kb
    • 提供者：weixin_38518638

  1. 通过局部表面等离子体激元减少氮化硅发光器件中的效率下降

  2. 通过局部表面等离子体激元减少氮化硅发光器件中的效率下降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：771kb
    • 提供者：weixin_38629042

  1. 局部表面等离子体共振引起的散射对提高氮化硅发光器件的发光效率的影响

  2. 局部表面等离子体共振引起的散射对提高氮化硅发光器件的发光效率的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：461kb
    • 提供者：weixin_38506103

  1. 具有高调制深度的石墨烯氮化硅微环谐振器

  2. 具有高调制深度的石墨烯氮化硅微环谐振器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：333kb
    • 提供者：weixin_38638033

  1. 易于制造的高效氮化硅光栅耦合器

  2. 易于制造的高效氮化硅光栅耦合器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：972kb
    • 提供者：weixin_38612527

  1. 基于富硅氮化硅薄膜的两端充电控制存储器件中的纳米粒子辅助Frenkel-Poole发射

  2. 通过将Si离子注入到Si3N4薄膜中，然后进行高温热退火，已经合成了嵌入硅纳米粒子（Si-NP）的氮化硅（Si3N4）薄膜。 随着不同的硅离子注入剂量，Si-N4基质中的Si-NPs浓度也发生了变化。 通过形成嵌入Al / Si-NP的Si3N4 / p-Si结构，通过器件电流中电荷引起的调制来观察存储行为。 然后进行电流-电压测量，以研究载流子传输机制，从而了解充电引起的器件电阻变化的起源。 发现电流在低电场下表现出基于跳跃的传导机制。 在高电场下，发现Frenkel-Poole（F-P）发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：512kb
    • 提供者：weixin_38741759

  1. DNA功能化的氮化硅纳米Kong，用于DNA生物传感器的序列特异性识别

  2. DNA功能化的氮化硅纳米Kong，用于DNA生物传感器的序列特异性识别

  3. 所属分类：其它

  1. 六角形Ag纳米阵列通过局部表面等离子体激元耦合诱导了非晶态氧化氮化硅的蓝光发射增强

  2. 六角形Ag纳米阵列通过局部表面等离子体激元耦合诱导了非晶态氧化氮化硅的蓝光发射增强

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38589168

  1. 紧凑型光栅耦合器，用于700 nm氮化硅带状波导

  2. 700纳米厚的绝缘体上氮化硅（SNOI）由于其宽带几乎零展平的色散而广泛用于非线性应用。 在本文中，我们提出了一种光栅耦合器。用于厚度为700 nm的SNOI上条形波导的TE模式。 聚焦光栅结构和反锥度相结合，将占位面积减小至70.2μm×19.7μm。 峰值耦合效率为-3.7 dB，1-dB带宽为54 nm。 该制造Craft.io仅需一个额外的蚀刻步骤即可与CMOS兼容。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：655kb
    • 提供者：weixin_38656142

  1. 与可见光波长的氮化硅微环谐振器集成的石墨烯/ MoS2异质结构光电探测器

  2. 与可见光波长的氮化硅微环谐振器集成的石墨烯/ MoS2异质结构光电探测器

  3. 所属分类：其它

  1. 超低温氮化硅光子集成平台

  2. 超低温氮化硅光子集成平台

  3. 所属分类：其它

  1. 垂直堆叠的氮化硅耦合微盘谐振器

  2. 垂直堆叠的氮化硅耦合微盘谐振器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：350kb
    • 提供者：weixin_38654315

  1. 氮化硅通道波导中抛物线脉冲的无频谱压缩

  2. 氮化硅通道波导中抛物线脉冲的无频谱压缩

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：629kb
    • 提供者：weixin_38517122

  1. 氮化硅钝化膜厚度对InAlAs / InGaAs InP基HEMTs特性的影响

  2. 在这项研究中，我们自己的InAlAs / InGaAs InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有0-nm，50-nm和200-nm氮化硅（Si3N4）钝化膜的DC和RF特性已经得到了证明。进行了全面而系统的调查。 随着Si3N4钝化膜厚度的增加，该器件在输出电导率上表现出明显的改善，夹断电压也明显向正值漂移。 特别是，使用50 nm Si3N4膜钝化的器件表现出最高的非本征跨导和沟道电流。 直流特性的出现变化可以解释为钝化引起的带正电的表面状态增加了薄片载流子密度，而器件的载流子迁移率和寄生电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：680kb
    • 提供者：weixin_38691669

  1. 具有快速衰减动力学的氧氮化硅薄膜的亮红色，橙黄色和白色切换光致发光

  2. 具有快速衰减动力学的氧氮化硅薄膜的亮红色，橙黄色和白色切换光致发光

  3. 所属分类：其它

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