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搜索资源列表

  1. O型圈沟槽设计-沟槽设计辅助小工具

  2. O型圈沟槽辅助设计工具，不需安装，比查工具书计算方便多了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-03-16
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：ccjiang979

  1. 沟槽土方体积计算专用表

  2. 自己在工作实际中编制的沟槽土方体积计算专用表，既简单有非常使用

  3. 所属分类：管理软件

    • 发布日期：2013-04-21
    • 文件大小：133kb
    • 提供者：a731006628

  1. O型圈沟槽设计

  2. O型圈 沟槽 设计 软件 欢迎 下载

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2014-06-18
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：lflu2014

  1. O型圈沟槽设计

  2. O型圈沟槽设计

  3. 所属分类：软件测试

    • 发布日期：2014-08-15
    • 文件大小：607kb
    • 提供者：qq_19599451

  1. 仿生二级微沟槽表面减阻特性数值模拟

  2. 仿生二级微沟槽表面减阻特性数值模拟，程拼拼，蒋成刚，快速游动的鲨鱼，其皮肤表面布满沿流动方向的沟槽，这种沟槽能够减小鲨鱼游动过程中的阻力。通过仿生技术人们设计了一系列具有单

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：443kb
    • 提供者：weixin_38581992

  1. 沟槽数量对泰勒涡流稳定性影响的数值模拟

  2. 沟槽数量对泰勒涡流稳定性影响的数值模拟，刘栋，朱鹣，本文基于CFD方法研究了光滑壁面和沟槽壁面模型内的Taylor-Couette流动，利用PIV测试结果验证了CFD数值计算方法可靠性。讨论了光壁模型中R

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-10
    • 文件大小：499kb
    • 提供者：weixin_38710781

  1. 微沟槽钛表面抗菌肽生物涂层对牙龈成纤维细胞生物学行为的影响

  2. 微沟槽钛表面抗菌肽生物涂层对牙龈成纤维细胞生物学行为的影响，周麟，陈江，目的：本课题通过3-氯丙基三乙氧基硅烷（CPTES）硅烷化这一生物活化方法将抗菌肽修饰到具有60μm宽、10μm深的微沟槽结构的钛表面，并�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-04
    • 文件大小：725kb
    • 提供者：weixin_38730840

  1. 2,4-二氯苯氧乙酸与小牛胸腺DNA的沟槽结合作用

  2. 2,4-二氯苯氧乙酸与小牛胸腺DNA的沟槽结合作用，夏开心，张国文，在生理酸度(pH 7.4)的条件下，采用多种光谱学技术包括紫外-可见吸收光谱法、荧光光谱法、圆二色谱法(CD)以及红外光谱法(FT-IR)结合分子�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-02
    • 文件大小：863kb
    • 提供者：weixin_38715094

  1. 沟槽蝶阀手册.jpg

  2. 沟槽蝶阀手册jpg,沟槽蝶阀手册

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-31
    • 文件大小：317byte
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 如何在PCB板上创建沟槽

  2. 如何在PCB板上创建沟槽 ，高级布板必看

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-27
    • 文件大小：175kb
    • 提供者：zxnxjt

  1. 复杂环境下沟槽控制爆破应用

  2. 沟槽爆破因临空面少,夹制作用大,不仅影响爆破效果,而且会造成爆破震动的加剧,使飞石产生的危险性增大。因此,如何在复杂的环境下进行沟槽爆破,既能抑制爆破的有害效应,又能达到预期的爆破效果,这已成为此类爆破工程中关注的问题。介绍了沟槽控制爆破技术在城市管线建设中的应用,论述了药包布置、爆破参数选择、起爆网路设计等技术问题。此工程经验对类似工程有一定的借鉴价值。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-30
    • 文件大小：326kb
    • 提供者：weixin_38634323

  1. 狭窄沟槽爆破开挖技术

  2. 通过一条盲沟爆破开挖施工的实践,介绍了针对深、窄、紧邻构筑物特点的沟槽,制订相应的优化对策,解决了运输道路、深沟挖装和爆破安全3个难题,取得了预期的爆破效果,为类似沟槽爆破开挖提供参考。

  3. 所属分类：其它

  1. 如何在PCB板上创建沟槽?

  2. 在AD6.3版本及后续版本中可以创建沟槽和非圆孔的焊盘，添加沟槽和正方形的焊盘挖孔。详细的钻孔类型可以从生产制造步骤中看到，在你的PCB板上放置特殊串符号，并且添加输出说明在上面，放置图例串符号在DrillDrawing层。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38607554

  1. 尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

  2. 低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成，为了降低导通电阻，同时不降低器件其他性能，如漏源击穿电压，最直接的办法是减少相邻元胞的间距，在相同的面积下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了沟槽式接触概念以及突起式多晶硅结构来克服由尺寸缩小引发的沟道穿通效应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：269kb
    • 提供者：weixin_38514501

  1. 元器件应用中的安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET

  2. 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38750007

  1. 元器件应用中的安森美半导体推出24款新的高密度沟槽MOSFET

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 基于ICPRIE系统中连续蚀刻Craft.io的硅上浅沟槽和沟槽轮廓的优化蚀刻

  2. 基于ICPRIE系统中连续蚀刻Craft.io的硅上浅沟槽和沟槽轮廓的优化蚀刻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：558kb
    • 提供者：weixin_38748207

  1. 具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS

  2. 具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：275kb
    • 提供者：weixin_38633576

  1. 使用沟槽栅极和嵌入式漏极的低导通电阻SOI LDMOS

  2. 使用沟槽栅极和嵌入式漏极的低导通电阻SOI LDMOS

  3. 所属分类：其它

  1. 具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS

  2. 提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的掩埋P层，形成三重减小的表面场（RESURF）（TR）结构。 三重RESURF不仅可以调节电场分布，而且还可以增加N漂移掺杂，从而导致截止状态下的比导通电阻（Ron，sp）降低，击穿电压（BV）改善。 DG形成双传导通道，而且，扩展的沟槽栅极扩大了垂直传导面积，这两者都进一步降

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：299kb
    • 提供者：weixin_38658982
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