已经研究了注入铜的GaN膜的结构，光学和磁性。 在仪器的分辨率极限内未发现第二相，但薄膜中存在晶格缺陷，如空位。 观察到室温铁磁性，饱和磁化强度为0.3μ（B）/ Cu原子。 场冷的磁化曲线可以分别通过居里-魏斯模型和标准三维自旋波模型分别在低温和​​高温范围内拟合。 我们的发现表明，在理解观察到的铜注入的GaN薄膜的磁性能时，应考虑空位缺陷。