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  1. synopsys软件简介《一》

  2. synopsys软件简介《一》 2007-08-09 一 Astro 　Astro是Synopsys为超深亚微米IC设计进行设计优化、布局、布线的设计环境。Astro可以满足5千万门、时钟频率GHz、在0.10及以下工艺线生产的SoC设计的工程和技术需求。Astro高性能的优化和布局布线能力主要归功于Synopsys在其中集成的两项最新技术：PhySiSys和Milkyway DUO结构。 二 DFT DFT Compiler提供独创的“一遍测试综合”技术和方案。它和Design Compil

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2009-04-30
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：beijing20080

  1. 超深亚微米结构的实现

  2. 现在 ,超大规模集成 (VLSI )电路技术的快速发展 ,要求器件的尺寸随之缩小 ,通常所用的缩比理论 有准恒定电压理论 ( quasi - constant voltage theory, QCVT)和恒定电压理论 ( constant voltage theory, CVT)。根据这一理论 ,在缩小后的 MOSFET的沟道中将会产生很强的电场 ,从而很容易击穿栅介质。 在实际应用当中 ,器件的稳定性是衡量器件性能的一个重要指标 ,所以本文就超深亚微米 n -沟道 Si - MOSFET的栅

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-30
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：beijing20080

  1. 超深亚微米IC设计中的天线效应

  2. 在超深亚微米集成电路设计中的天线效应产生和解决方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-09-14
    • 文件大小：176kb
    • 提供者：fengruof

  1. 面向深亚微米ASIC设计的可测性设计技术

  2. 面向深亚微米ASIC设计的可测性设计技术,可以更深入的了解该技术

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-22
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：citydremer

  1. 深亚微米下ASIC 后端设计及实例

  2. 深亚微米下ASIC 后端设计及实例 是东南大学射光所的一边论文 介绍了后端的设计 里面又对一些参数的详细计算 希望对你有用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-12
    • 文件大小：365kb
    • 提供者：mxic2008

  1. FPGA设计：一个ASIC设计流程实例

  2. FPGA设计流程实例，挺详细的 本文的第1 章简要介绍了深亚微米数字集成电路的设计流程。从第2 章开始我们将分 章节详细介绍各个主要步骤。第2 章介绍系统行为级仿真方法。第3 章介绍行为级综合和 模型编译。第4 章解释了综合的概念，介绍了逻辑综合的实现及讨论了几个常见问题的解 决方法。第5 章解决了版图后仿真的实现问题，阐述了各种技术库的生成，比较了系统行 为级仿真和综合后仿真的区别。第6 章介绍了Formal Verification 和其他辅助工具的应 用。第7 章详细讲述了自动化布局布线

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-04-12
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：liurui1030

  1. 超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案

  2. 超深亚微米下SoC 芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程. 以一块0. 18 μm 工艺下200 万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战,论述了在布局规划、电压降、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端设计的效率和质量.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-01-02
    • 文件大小：396kb
    • 提供者：feiyang756

  1. 深亚微米工艺集成电路静态时序分析教程

  2. 讲述深亚微米工艺集成电路静态时序分析的pdf文档，大为推荐

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2014-06-29
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：cheernixue1982

  1. 《数字集成电路分析与设计——深亚微米工艺》习题答案

  2. 《数字集成电路分析与设计——深亚微米工艺》习题答案

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2017-12-10
    • 文件大小：16mb
    • 提供者：qq_37383691

  1. 埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响

  2. 埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响，张园园，赵耀林，本文模拟了沟道长度分别为250nm、180nm及90nm SOI NMOSFETs器件在不同浓度的埋氧层陷阱电荷（Not）下，相同重离子入射后产生的瞬时电流脉冲

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：498kb
    • 提供者：weixin_38689824

  1. 一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计

  2. 因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的电流，所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压，内部的电荷泵。在设计此类电荷泵时，击穿电压和体效应的影响成为严重的问题。我们设计了一款电荷泵用以在存储器中传递外部编程高压。这种电荷泵利用高压NMOS器件提高了耐压特性并保证了正常工作，且增加了衬底偏置以缩短电荷泵的稳定时间。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：weixin_38714532

  1. 基于深亚微米的低成本高可靠BOD电路

  2. 经常在MCU等应用系统中遇到系统电源电压出现欠压或意外掉电的情况，导致MCU的程序“跑飞”或丢失重要的数据。为了尽量避免这些情况的出现，掉电检测电路能够检测到系统供电电源异常，以提高系统的抗干扰能力和稳定性。提出一种基于180 nm工艺设计的掉电检测电路，具有结构简单、工作稳定可靠、版图面积小的优点，可集成在MCU等微处理器内部，实现对系统电源电压监测，减少系统的外围器件，降低系统成本。该电路结构可以非常容易地迁移至其他工艺节点，具备良好的工艺迁移特性和应用广泛性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：514kb
    • 提供者：weixin_38663837

  1. 深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

  2. 为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：317kb
    • 提供者：weixin_38685600

  1. 集成电路中的全新的深亚微米IC设计方法

  2. 众所周知，传统的IC设计流程通常以文本形式的说明开始，说明定义了芯片的功能和目标性能。IC设计，Integrated Circuit Design，或称为集成电路设计，是电子工程学和计算机工程学的一个学科，其主要内容是运用专业的逻辑和电路设计技术设计集成电路（IC）。IC设计涉及硬件软件两方面专业知识。硬件包括数字逻辑电路的原理和应用、模拟电路、高频电路等。软件包括基础的数字逻辑描述语言，如VHDL等，微机汇编语言及C语言。作为初学者，需要了解IC设计的基本流程：基本清楚系统、前端、后端设计和验

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：119kb
    • 提供者：weixin_38686245

  1. 模拟技术中的新型深亚微米电流灵敏放大器技术设计

  2. 随着便携式电子设备(PDA、射频卡、GPS等)的广泛应用，半导体存储器得到了长足的发展。半导体存储器的性能将直接影响到系统在速度等方面的性能。因此，设计能够高速存储的存储器便成为当今集成电路设计的一个研究热点。 　　存储器的速度主要决定于存储器的读取时间。存储器的读取时间主要是指从地址信号的输入到数据信号的输出所经历的延迟时间，一般由地址输入缓冲器、译码器、存储单元、灵敏放大器、输出缓冲器的延迟时间共同决定。因此，要减少存储器的读取时间，一般有两种途径：一是，减少从地址信号输入到字线选通的延时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38552536

  1. 应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

  2. 谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春(中国科学院微电子中心，北京，100010)摘要：PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波／毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：106kb
    • 提供者：weixin_38721811

  1. 深亚微米IC物理设计流程中的串扰控制

  2. Crosstalk Noise Control in Deep Submicron Physical Design Flow 王胤翔　 周凤亭　 陆生礼　 摘　要：信号完整性的设计收敛已经成为当前深亚微米集成电路物理设计流程中的关键问题.对信号完整性收敛产生不利影响的有三个因素:串扰、直流电压降和电迁移.其中影响最大的是串扰,串扰噪声会产生大量的时序违规、逻辑错误.主要关注基于串扰控制的物理设计方法,包括新的流程、各个设计阶段对串扰的分析及修正的方法,以达到快速的时序收敛.并且根据真实的设计实

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38516956

  1. 动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效

  2. 王 勇，李兴鸿（北京微电子技术研究所, 北京 100076）摘要：对扫描电子显微镜静态／动态／电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究，对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨，为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据。 关键词：扫描电子显微镜；集成电路；失效分析 中图分类号：TN304.07 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)07

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38670420

  1. 保护环对深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的直流和高频性能的影响

  2. 保护环（GR）对直流（DC）和高频的影响亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的性能（MOSFETs）在这项研究中进行了研究。 制作了具有四种不同GR的MOSFET 使用90 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）Craft.io，并进行了详细他们的设备性能进行了比较研究。 统一的直流和小信号开发了考虑GR影响的等效电路模型。 一套简单但有效的方法公式为S参数之间的转换提供了双向桥梁具有不同GR的设备。 不同型号MOSFET的相应模型参数GR是由高达40 GHz的S参数晶圆上测量确定的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38721405

  1. 新型深亚微米电流灵敏放大器技术设计

  2. 随着便携式电子设备(PDA、射频卡、GPS等)的广泛应用，半导体存储器得到了长足的发展。半导体存储器的性能将直接影响到系统在速度等方面的性能。因此，设计能够高速存储的存储器便成为当今集成电路设计的一个研究热点。 　　存储器的速度主要决定于存储器的读取时间。存储器的读取时间主要是指从地址信号的输入到数据信号的输出所经历的延迟时间，一般由地址输入缓冲器、译码器、存储单元、灵敏放大器、输出缓冲器的延迟时间共同决定。因此，要减少存储器的读取时间，一般有两种途径：一是，减少从地址信号输入到字线选通的延时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38577922
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