研究了用温度梯度技术（TGT）生长的铈掺杂原铝钇（Ce：YAlO3或Ce：YAP）晶体的光谱性质，并分析了生长条件对其性能的影响。在这些研究中，使用了光致发光（PL），光致发光衰减（PLD），X射线激发发光（XL）和阴极发光（CL）。 结果表明，在202、394和532 nm处的吸收带峰是由弱还原性生长气氛引起的F和F +色心引起的，Ce3 + -Ce3 +对产生了500 ran附近的绿色发射带，在650 nm处的吸收带类似于850 run。来自晶体中的一些意外杂质。