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搜索资源列表

  1. 射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

  2. 射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-27
    • 文件大小：248kb
    • 提供者：hugoli333

  1. 射频反应溅射制备AlN薄膜的研究1

  2. 射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-27
    • 文件大小：297kb
    • 提供者：hugoli333

  1. 溅射镀膜原理及其应用

  2. 溅射镀膜技术基础知识 对于刚起步的人来说是很好的学习资料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-24
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：jonathan_718

  1. 磁控溅射技术

  2. 磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种，等等介绍了磁控溅射技术的发展与原理。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-10-26
    • 文件大小：166kb
    • 提供者：yutianhecheng

  1. 溅射屏幕实例

  2. 溅射屏幕(Splash Screen),也叫程序启动画面的制作

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-06-07
    • 文件大小：170kb
    • 提供者：vc112

  1. 巧用Delphi制作溅射屏幕

  2. 巧用Delphi制作溅射屏幕源代码

  3. 所属分类：Delphi

  1. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  2. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2017-07-19
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：baidu_39548464

  1. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响

  2. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响，霍晓旭，莫晓亮，利用射频磁控溅射方法，以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理，退火温度在340 ℃至420 ℃的范围内，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：725kb
    • 提供者：weixin_38720461

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：316kb
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 温度对等离子渗硼源极溅射行为及渗硼层成分的影响

  2. 温度对等离子渗硼源极溅射行为及渗硼层成分的影响，马连军，詹科，采用双层辉光等离子渗硼技术，以固体化合物FeB为硼源在Ti6Al4V合金基体上制备了渗硼层，研究了等离子渗硼过程中不同温度下源极的溅�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：434kb
    • 提供者：weixin_38650150

  1. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

  2. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：379kb
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，文斌，刘超前，本文基于脉冲直流磁控溅射技术，利用自制单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材于室温下在普通纳钙玻璃上沉积了CZTS薄膜，主要研究了沉积过程中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：891kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质

  2. 射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质，农剑，徐华蕊，以Li0.33La0.56TiO3（LLTO）与Li7La3Zr2O12（LLZO）粉末靶材为溅射源，用射频磁控共溅射的方法制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质。在室温条件下，其离�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：360kb
    • 提供者：weixin_38699726

  1. 射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除

  2. 射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除，赵以德，，反应磁控溅射过程中的迟滞效应是限制它的应用发展的主要问题之一。本文在分析Berg模型的基础上，仿真模拟了Al_2O_3薄膜反应溅射过程�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：434kb
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜

  2. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：720kb
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

  2. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜，陈志平，曹春海，在室温下，采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜，分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量，获得了不同�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：627kb
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素

  2. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素，宋文龙，邓建新，磁控溅射薄膜技术应用日趋广泛，其中溅射薄膜的附着性是制约薄膜性能和使用的关键因素。结合作者已有研究，参考国内外现有的资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-26
    • 文件大小：340kb
    • 提供者：weixin_38742453

  1. 粉末溅射法制备薄膜充电电池材料

  2. 粉末溅射法制备薄膜充电电池材料，王定友，任岳，经过长时间的研究和探索，在薄膜制作方法上我们研究开发了粉末磁控溅射镀膜法。利用这种方法，我们对全固体薄膜充电电池的多种负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-19
    • 文件大小：214kb
    • 提供者：weixin_38745361

  1. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射

  2. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射，牟宗信，贾莉，发表了直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射模式的现象和机制分析。常规圆形平面磁控靶与同轴线圈构成非平衡磁控溅射靶，同轴线圈

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：359kb
    • 提供者：weixin_38660813

  1. 低能Ar+溅射诱导CeO2(111)薄膜还原

  2. 低能Ar+溅射诱导CeO2(111)薄膜还原，王国栋，孔丹丹，利用同步辐射光电子能谱(SRPES)原位、系统地研究了Ar+溅射对在Ru(0001)表面外延生长的CeO2(111)薄膜表面的电子结构和化学成分的影响。结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：494kb
    • 提供者：weixin_38580959
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