采用射频磁控溅射工艺,在K9玻璃基片上用Ag-In-Sb-Te合金靶制备了相变薄膜。对沉积态薄膜在300℃下进行了热处理,测量了薄膜的光学性质。通过改变本底气压、溅射气压及溅射功率,研究了工艺参数对薄膜光学性质的影响。实验表明,本底气压、溅射气压及溅射功率综合决定了AgInSbTe薄膜的光学性质。对AgInSbTe薄膜的制备,选择较高的本底真空度、适当的溅射气压及溅射功率是非常重要的。