半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

太赫兹量子级联激光器(THz QCL)的增益谱较宽，使用普通法布里-珀罗腔时一般为多纵模激射。二阶分布反馈THz QCL可利用表面辐射损耗消除模式简并，实现单纵模激射。采用耦合模理论对单面金属波导二阶分布反馈THz QCL基本参数的计算公式进行了理论推导，并研究了光栅结构参数对其耦合系数、阈值增益、光子密度及外微分量子效率等参数的影响。在以自然解理面为端面的波导上刻蚀占空比约为0.15、有源区深度为0.5 μm的光栅时，激光器的阈值增益较低，腔内光子密度分布相对均匀，能够实现单纵模激射。