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  1. 激光气相化学诱导掺杂制作超薄结硅光电池及其参数研究

  2. 用XeCl准分子激光作光源,以BBr3为工作物质,在n型硅片表面进行激光气相化学诱导掺杂硼,制作太阳电池。获得的PN结表面最大掺杂浓度为1.2×1021B+/cm3;在1017B+/cm3处的结深为0.08μm;未镀增透膜的光电转换效率为9.5％。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38692043