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  1. 热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

  2. GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-10-31
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：lht3525