瑞萨科技宣布开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。瑞萨科技在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。 　　像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用

瑞萨科技（Renesas）宣布开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构--公司在2006年12月以前发布的一种先进技术--改善了CMIS晶体管的性能。 像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用氮化钛（TiN）金属栅极的P型晶体管，以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过，新的P型晶体管采用两层栅极结构，而不是单层栅极，以更有效地控制门限电压。而且，新型混合结构利用应变硅制造技术