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搜索资源列表

  1. AT89C52中文资料（包含使用电路，芯片资料，程序0

  2. AT89C52P为40 脚双列直插封装的8 位通用微处理器，采用工业标准的C51内核，在内部功能及管脚排布上与通用的8xc52 相同，其主要用于会聚调整时的功能控制。功能包括对会聚主IC 内部寄存器、数据RAM及外部接口等功能部件的初始化，会聚调整控制，会聚测试图控制，红外遥控信号IR的接收解码及与主板CPU通信等。主要管脚有：XTAL1（19 脚）和XTAL2（18 脚）为振荡器输入输出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd（9 脚）为复位输入端口，外接电阻电容组成的复位电路。VCC（4

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-05-15
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：star2588

  1. 原理图设计规范-晶振电路设计规范-T-PD-031-A0.pdf

  2. 原理图设计规范-晶振电路设计规范.①&W ￡ CTRONICS原理图设计规范晶振电路设计规范文件编号:TPD031秘密 目的 .Ⅰ规范旵振电路设计,为相同规格的模块电路提供统一的标准,避免出现产品功能和性能的 缺陷。 适用范围 2.1本规范适用于本公司所有产品的晶振电路设计 职责 3.!产品审核部:负责原理图设计规范的拟定及维护,总结规范模块电路。 3.2各相关部门:遵守本规范并按要求执行 名词解释 41压电效应:压电晶体在沿一定方向上受到外力的作用而变形时,其内部会产生极化,在它 的两个相对表

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-10-09
    • 文件大小：233kb
    • 提供者：jun03

  1. 降低仪表放大器电路中的射频干扰整流误差.pdf

  2. 降低仪表放大器电路中的射频干扰整流误差pdf,在实际应用中，必须处理日益增多的射频干扰(RFI)，对于信号传输线路较长且信号强度较低的情况尤其如此，而仪表放大器的典型应用就是这种情况，因为其内在的共模抑制能力，它能从较强共模噪声和干扰中提取较弱的差分信号。AN-671 从实用出发选择射频干扰输入滤波器元件值 具体设计实例 以下规则可极大地简化RC输入滤波器的设计。 1适用于AD620系列仪表放大器的射频干扰抑制电路 1.首先,确定两只串联电阻的值,同时确保前面的电路 图3是针对通用型仪表放大器(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：623kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. LED驱动电路功率因数改善探讨及NCP1014解决方案.pdf

  2. LED驱动电路功率因数改善探讨及NCP1014解决方案pdf,本参考设计将分析现有照明LED驱动电路设计功率因数低的原因，探讨改善功率因数的技术及解决方案，介绍相关设计过程、元器件选择依据、测试数据分享，显示这参考设计如何轻松符合“能源之星”固态照明标准的功率因数要求，非常适合低功率LED照明应用增加了元件数量、降低了效率及增加了复杂性,最适用的功率电平远 高于本应用的功率电平。 解决方案 高功率因数通常需要正弦线路电流,且要求线路电流及电流之间的相 位差极小。修改设计的第一步就是在开关段前获得

  3. 所属分类：其它

  1. 旁路电容的深度探讨.pdf

  2. 旁路电容的深度探讨pdf,旁路电容对于测试电路影响acka〔e valve ESL fc 图3:旁路电容的阻抗。 David:我们在实验室中所发现的问题在于,各和封装均是关似的。我们所采用的大多数陶瓷电容均为面积 是0805或0603的电容。我测试发现,把06030.1uF电容挨着0603100pF电容安装,效果上不如仅仅采 用两个06030.1pF的电容。 Tamara:那是完全有可能。我猜测,你所处的频率范围就是06030.1F电容被最优化的频率范围。 0,1F 0b3 loOp d603

  3. 所属分类：其它

  1. 电源的各项指标及测量.pdf

  2. 针对电子设计竞赛的电源指标及测量，如电压调整率，负载调整率，效率，失真度纹波越小越好 1.直流电源指标 (4)效率η:输出的有功功率P与输入的有功功率P的百分比即: n PI 100% ×100% U (14) 其中,U为输出电压,l为输出电流,U为输入电压,l为输入电流。 2.交流电源指标 (1)电压调整率S:负载不变,输入电压有效值变化时输出电压有效值相 对变化量。即: JU01-Uo2l 100% U (15) 其中,U1为输入电压最大时的输出电压有效值,Uo2为输入电压最小时 的输出电压

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 一种用于测试电容的电路

  2. 本文将介绍一种用于测试电容的电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38745648

  1. 用于SAR ADC的片上多模式基准电压产生电路的设计

  2. 针对工业物联网等应用场景中ADC的供电电压范围宽、功耗要求苛刻等问题，提出了一种配置灵活、低功耗、低噪声的片上基准电压产生电路，为ADC提供与电源无关满量程电压。该电路在电源电压为2.65 V~3.6 V时提供2.5 V参考电压，电源电压为2.2 V~3.6 V时提供1.5 V的参考电压。该电路可以配置成片外电容模式，关闭缓冲器电路，降低整体的功率；还可以配置成内部缓冲器模式，减小基准电压产生电路的建立时间，从而降低ADC单次采样消耗的能量。芯片测试结果表明，该方案能够满足ADC在各种应用条件下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：541kb
    • 提供者：weixin_38670529

  1. 一种使用Capless LDO结构的片上电容的预估方法

  2. 针对集成电路SOC芯片对PIN脚资源的限制以及用于敏感信息防护的安全芯片的应用领域，需要使用片上LDO和片上滤波电容的方案来为内核供电。由于LDO的低带宽导致带来相应速度问题，需要用片上滤波电容来提供数字电路瞬态翻转的能量，要使用纳法级的滤波电容占用极大的芯片面积，使得布局和LDO都在项目后期完成设计，导致芯片布局的迭代次数增加。深刻理解数字电路的工作原理和设计流程，提出了一种全新的设计流程和电容估算方法，在项目前期就完成片上电容的精确预估，从而可以早期进行LDO和芯片布局设计，减少了迭代周期，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：573kb
    • 提供者：weixin_38608873

  1. 基础电子中的用于测试电容的电路

  2. 电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容，决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。图中的值适用于所有电容的一般测试，从1nF的陶瓷电容，到1000μF的电解电容。电路中，CREF的值接近于待测电容值CX。另外也可以用旋转切换的方法选择RREF，使之大于或小于22 MΩ。 　　当按键开关闭合时，电容CREF与CX通过各自相应的PNP晶体管充电。当开关打开时，这些电容开始放电。CREF（假设处于良好状况）有额外的放电外接电阻。而待测电容CX则通过自

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38718690

  1. 用于测试电容的电路

  2. 电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容，决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。图中的值适用于所有电容的一般测试，从1nF的陶瓷电容，到1000μF的电解电容。电路中，CREF的值接近于待测电容值CX。另外也可以用旋转切换的方法选择RREF，使之大于或小于22MΩ。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38658471

  1. 电源技术中的LED电源老化测试用的缓启动恒流电子负载

  2. 摘要：设计实用于LED电源的，具有缓启动功能的恒流电子负载，利用负载接入端子V+.V-输入电压，经过稳压输出电路稳压后用于控制经典的模拟恒流负载电路，配合上简单的由RC 延时网络构成的上电延时启动电路.能使负载电流从0 mA缓慢上升至额定电流，再配合由双三极管及电阻电容构成的掉电快速放电电路，保证了下次启动时的延时效果.该设计的具有缓启动功能的恒流电子负载，无需外部供电，直接取电于负载接入电压，无需软件延时和其他硬件延时，实现无源软缓启动，成本低，可以串联和并联使用.在LED电源的老化测试中，替

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：138kb
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 一种用于测试电容的电路

  2. 电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容，决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：52kb
    • 提供者：weixin_38554781

  1. 振动能量收集电源电路设计

  2. 利用凌力尔特推出的电源集成芯片LTC3588-2，设计出适用振动能量收集的高集成度电源电路。根据压电材料能量收集器特性，建立了以理想电流源为基础的电路模型，用于电路仿真。通过调节收集器自身的振动频率，以及使用具备微弱泄漏电流特点的电容，使振动能量到电能的转换效率最大化。测试结果表明，该电源可以断续输出5 V的稳定电压，为低功耗、短工作时间的无线传感器设备供电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：220kb
    • 提供者：weixin_38640168

  1. 显示/光电技术中的MR16及换代灯的LED驱动方案

  2. 摘要：本应用笔记讨论了MR16及类似换代灯的LED驱动方案，电路采用12VAC输入驱动LED。该方案可配合磁变压器和电子变压器工作，具有调光功能。电路中无需使用电解电容，有助于延长LED灯的工作寿命。文中给出了测试装置及结果。 　　引言 　　该应用笔记介绍的LED驱动方案用于12VAC输入的MR16及类似的换代灯。该方案可配合磁变压器和电子变压器工作，支持磁变压器的前沿调光和电子变压器的后沿调光。电路中无需使用电解电容，从而有效延长了LED灯的工作寿命，因为电解电容是制约这类系统使用寿命的关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：303kb
    • 提供者：weixin_38587509

  1. 150W级功率MOSFET的门驱动电路

  2. 作为高速的开关器件，功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它，就必须非常清楚其门驱动电路。 　　功率MOSFET在苴流～低速开关用途上，与以往的场效应品体管相比易于驱动是其最大的特色．但如要在高频时实现高速开关动作，则因门输入阻抗低而非常困难，教科书卜提到过功率MOSFET的输人阻抗极高，但那是有适用条件的． 　　图1是用于测试功率MOSFET(2SK1379)的开关特性的电路．试验中使用的2SK1379(东芝)是60V、50A，漏极损耗150W,gm＝25～35S的功率开关器件．注意其输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：205kb
    • 提供者：weixin_38520275

  1. 元器件应用中的常用调试仪器

  2. 在电子电路调试过程中一般会用到以下几种仪器： 　　1．万用表　　万用表可以测量交直流电压、交直流电流、电阻值，还常用于判断二极管、稳压管、晶体管和电容的好坏与引脚。 　　2．稳压电源　　稳压电源可以输出稳定的直流电压，通常用它给收音机提供稳定的3 V直流电压。 　　3．信号发生器　　信号发生器可在调试过程中提供所需的波形信号，如正弦波、三角波、方波及单脉冲波调制信号等，以测试电路的工作情况。 　　4．示波器　　示波器是调试中不可缺少的仪器。用于观察与测量电路各点波形幅度、宽度、频率及相位

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38644097

  1. RFID技术中的射频(RF)测试的应用

  2. 无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片，还是利用硅技术生产高性能模拟电路，在研发和生产中预测最终产品的性能和可靠性，都需要晶圆级RF散射参数（s）的测量。这些测试对DC数据是重要的补充，相对于单纯的DC测试，它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上，一个两通道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数，而采用常规DC方法，则需要分开测试，甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂，然而价格波动大。生产中高频低压的测试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38687505

  1. 基于复杂可编程逻辑器件的读出电路驱动脉冲设计

  2. 焦平面读出电路在工作时需要提供多路数字驱动脉冲, 信号发生器、分立元件、单片机、复杂可编程逻辑器件(CPLD)等常用于设计驱动脉冲。利用CPLD开发板设计了一种脉冲驱动电路, 该电路可以为电容负反馈放大型的线列焦平面读出电路提供驱动脉冲。通过在信号输出端串联电阻消除了脉冲信号的过冲振铃, 实验结果显示输出脉冲可以驱动焦平面稳定工作。该电路体积小易便携的优点使其可用于焦平面的可靠性测试实验。实验和设计值的比较结果显示该输出脉冲的精度较低, 和高精度信号发生器相比, 该电路不适合用于焦平面性能参数的

  3. 所属分类：其它

  1. 用于测试电容的电路

  2. 电解电容会随时间而泄漏。图1中的电路可以用来测试电容，决定它们是否值得使用。通过CREF/RREF比值可以设定对泄漏的限制条件。图中的值适用于所有电容的一般测试，从1nF的陶瓷电容，到1000μF的电解电容。电路中，CREF的值接近于待测电容值CX。另外也可以用旋转切换的方法选择RREF，使之大于或小于22 MΩ。 　　当按键开关闭合时，电容CREF与CX通过各自相应的PNP晶体管充电。当开关打开时，这些电容开始放电。CREF（假设处于良好状况）有额外的放电外接电阻。而待测电容CX则通过自

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38711041
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