这项工作报告了通过应用氮化锗作为界面层来改善硫族化物随机存取存储设备的性能。 使用标准的0.18μm互补金属氧化物半导体技术制造的器件具有8nm厚的GeN膜。 所沉积的GeN处于非晶态并且具有光滑的表面。 电气测试表明，该N缺陷层在操作过程中感应出较低的阈值电压。 可以认为，减少的主要原因是GeN的优异的界面性质，高电阻率和低导热率，这将是CRAM器件中的预期界面材料。