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搜索资源 - 由质量插入近似中的SUSY环引起的h,H,A→τμ衰减的分析
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由质量插入近似中的SUSY环引起的h,H,A→τμ衰减的分析
在本文中,我们研究了将最小超对称标准模型的中性希格斯玻色子的衰变通道破坏为轻子和反味的轻子的倾向。 与更频繁使用的最小限度违反风味的假设相反,我们在slepton行业中最一般的风味混合方案中进行工作。 我们的分析计算是一个单回路的图解计算,但是与通常称为物理子链质量基础的完整的单环计算相反,我们在这里使用的是电弱相互作用子链基础的质量插入近似(MIA)。 并扰动地处理改变了slepton风味的插入物。 通过以相关的形式因子扩展外部动量的幂,我们将能够在分析结果中明确分离出领先的非去耦(恒定于渐近
所属分类:
其它
发布日期:2020-04-19
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38712908