在有效质量包络函数理论的框架下，从理论上研究了电场对掺锌（ZB）InGaN / GaN量子点（QD）中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明，电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能，带间跃迁能，振荡器强度和线性光学磁化率显着降低。 艾里斯还发现，在大尺寸量子点中，电场对激子态和光学性质的影响要明显得多。 此外，基态激子结合能和振荡器强度对铟组成较小的InGaN / GaN QD中铟组成的变化更为敏感。 一些数值结果与实验测量结果一致。