刘志农， 熊小义， 付玉霞， 张伟， 陈培毅， 钱佩信（清华大学微电子所，北京 100084）摘要：在双台面SiGe HBT加工工艺过程中，采用RIE工艺刻蚀发射极台面时，为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤，同时为了防止过刻到基区，必须严格控制发射极台面的高度，从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法，具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法，这种方法具有简单、高效、低成本的优点。 关键词：EFL；线性拟合；R