关键特性 · 小尺寸：在0.3in?上集成了四个通道 · 低功耗：每通道325mW (典型值) · 高速：3VP-P时, 300Mbps · -2.2V至+5.2V工作电压范围 · 有源端接(第3级驱动) · 集成PMU开关 · 无源负载 · 低泄漏模式：20nA (最大值) · 低增益误差、失调误差 · 提供无铅(Pb)封装  应用范围· 有源老化系统· DRAM探测器· 低成本混合信号/片上系统(SoC)测试器· NAND闪存测试器· 结构测试装置 原理框图   来源:若冰儿