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资源分类
搜索资源列表
AT24C04成和12864液晶组合计数程序
在液晶上显示计数,按模式键有各种计数功能,并且还有掉电存储数字
所属分类:
C
发布日期:2010-09-07
文件大小:202byte
提供者:
yuyan19850204
铁电存储器(FRAM)的工作原理(中文)
铁电存储(FRAM)的工作原理描述,包括图片。 中文版。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-09-19
文件大小:197kb
提供者:
ltsmat
铁电存储(FRAM)的工作原理(英文)
铁电存储(FRAM)的工作原理(英文)。 包括存储原理和读取原理。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-09-19
文件大小:126kb
提供者:
ltsmat
铁电PDFfm25)cl04铁电(中文数据手册
非常好的铁电资料 主要用于对数据的存储 掉电不丢失 有效防止突然断电数据丢失产生的恶劣后果
所属分类:
网管软件
发布日期:2013-01-28
文件大小:317kb
提供者:
fifa2001kn
24C02掉电存储
24C02掉电存储 AT89C51程序
所属分类:
C
发布日期:2015-12-14
文件大小:5kb
提供者:
longfei_shi
电存储最前沿
目前基于三进制的存储研究进展--信息世界的新秀
所属分类:
其它
发布日期:2016-12-22
文件大小:46mb
提供者:
qq_37135540
STM32F4实现掉电一瞬间数据存储
STM32F4实现掉电一瞬间数据存储,STM32F4实现掉电一瞬间数据存储,STM32F4实现掉电一瞬间数据存储,
所属分类:
C
发布日期:2017-11-22
文件大小:2kb
提供者:
asdfg547
NXPKE02Z掉电存储问题
NXPKE02Z掉电存储问题。芯片: MKE02Z64VQH2, 供电: 5V供电,并在电源端加 470uF的电解电容,延长掉电时间 目标功能: 为节约 EEPROM寿命,避免程序正常运行时保存所需数据,在掉电中断中保 存 KE02整个 256 字节的 EEPROM数据。 所遇问题: 发现每次断电, 再上电读取 EEPROM的数据, 只能保存二十几个数据。
所属分类:
C
发布日期:2018-05-09
文件大小:376kb
提供者:
weixin_38950394
掉电保护掉电保存设计资料
掉电保护掉电保存设计资料,掉电存储资料,掉电方面非常实用的设计资料
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-06-20
文件大小:28kb
提供者:
shengyin714959
压电存储技术
压电存储充电技术,希望对大家有用,谢谢,20字终于够了
所属分类:
硬件开发
发布日期:2013-02-28
文件大小:2mb
提供者:
laowen_
单片机中的掉电存储管理
各位单片机程序猿们,在单片机程序设计的时候,经常碰到一些数据的掉电存储问题。往往这些数据量又不是很大,但是操作起来特别麻烦。每次变更数据都得调用存储函数进行读写操作。今天总结一下近几天的思路,对普通单片机的的NV变量的管理给出一个较为方便的操作方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-09
文件大小:60kb
提供者:
weixin_38744557
新塘MS51掉电存储例程
程序可直接移植到程序使用,只需修改要掉电保存的变量名即可,内含有MS51.h的头文件和eeprom.h和eeprom.c
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-10-23
文件大小:4kb
提供者:
weixin_41816889
铁电存储器在验光仪数据存储系统中的应用
引言 在综合验光仪的验光过程中,用户会根据不同的测试需求和习惯设置一些系统配置参数,这些参数需要保存起来;更为重要的是,患者测得的双眼屈光数据也需要长时间地保存起来,以备下次更换眼镜时作为配镜参考和数据比较。这样,就面临一个系统掉电后数据保存的问题。 传统半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器两类:非易失性存储器包括EPROM、EEPROM和Flash等,在断电后仍能保存数据,但由于采用 ROM技术,所以存在写入时间长、写入次数有限、写入时功耗较高等缺点;而易失性存储器虽然性能
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:143kb
提供者:
weixin_38716519
元器件应用中的Seiko推出最薄最小的芯片型双电层电容器
Seiko Instruments Inc.(SII)将于2008年10月推出世界最薄最小的芯片型双电层电容器,部件编号为CP3225A。 SII双电层电容器(EDLC)是一种可充电电存储器件,常在主电池电能耗尽或主电池更换时用作手机存储器和时钟备用电池。与通常用于此类设备中的纽扣电池不同,这种新器件的电极中含有活性碳,活性碳具有很大的表面积,同时电解液中加入有机溶液。 目前EDLC封装一般是“纽扣”形状,因为是圆形,不能完全利用其周围的pcb板空间。同时,进行表面安装常需要金属焊
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:47kb
提供者:
weixin_38656676
元器件应用中的Seiko超薄芯片式双电层电容器CP3225A即将上市
近来,市场对尺寸更小更薄的便携式电子通信设备(例如移动和智能电话)的需求越来越强。为此,这些产品中使用的电子元件也需要做得更小更薄,以适应通信产品日益小型化的需求。 为满足这一行业需求,Seiko仪器公司将于2008年10月份推出全球尺寸最薄最小的芯片式双电层电容器,型号为CP3225A。 SII的EDLC(Electric Double-Layer Capacitor,双电层电容器)是一种可充电式电存储器件,常常在主电池耗尽或更换的时候用作移动电话存储器和时钟的后备电源。 与
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:46kb
提供者:
weixin_38694566
元器件应用中的Seiko拟推出超薄芯片型双电层电容器CP3225A
Seiko Instruments Inc.(SII)将于2008年10月推出世界最薄最小的芯片型双电层电容器,部件编号为CP3225A。 SII双电层电容器(EDLC)是一种可充电电存储器件,常在主电池电能耗尽或主电池更换时用作手机存储器和时钟备用电池。与通常用于此类设备中的纽扣电池不同,这种新器件的电极中含有活性碳,活性碳具有很大的表面积,同时电解液中加入有机溶液。 目前EDLC封装一般是“纽扣”形状,因为是圆形,不能完全利用其周围的PCB板空间。同时,进行表面安装常需要金属焊片
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:48kb
提供者:
weixin_38681147
铁电存储器原理及应用比较
摘要:介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口,着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词:铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:91kb
提供者:
weixin_38707826
铁电存储器原理及应用
铁电存储器原理及应用 空军雷达学院科研部 孙树印 背景铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35 m工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可达256K位。FRAM原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:88kb
提供者:
weixin_38590775
嵌入式系统/ARM技术中的带RTC的I2C总线铁电存储器FM31256
摘要 FM31256是一种基于I2C总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外,该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器、可锁定的串行数字标识等多种功能。文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理,并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。关键词 I2C总线 铁电体技术 RTC MSP430F FM31256是由Ramtron公司推出的新一代多功能系统监控和非易失性铁电存储芯片。与其他非易失性存储器比较,它具有如下优点: 读/写速度
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:179kb
提供者:
weixin_38741950
面向射频的单片机掉电保持系统设计
基于延长射频系统中的单片机掉电时间的目的,设计了一种掉电存储系统。采用XMC1404单片机、ST25R3911B射频芯片和 MB85RS64存储芯片组成系统案例。在硬件上通过LDO和超级电容来延长掉电时间,软件方面通过控制射频系统和实时判断电压的方法,保证在断电时能够有足够的时间保存数据,并防止电压波动引起的误保存。通过与其他掉电保存的方式对比测试,证明该系统能够满足物料搬运行业的准则要求,在掉电时能够维持50 ms以上,并且能让掉电波形更为平滑,并减少电压抖动。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-26
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38628926
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