与SBD相比，SR可以承受更高的阻断电压。 　　表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 　　表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 　　由表1 可知，用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且，对同一系列的SR，额定阻断电压越高，RDS(on)越大。 　　欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99