在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 　　高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 　　图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 　　限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当MOSFET处于导通状态时