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  1. 电源技术中的IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET

  2. 国际整流器公司(International Rectifier,简称为IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET-IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。    单个采用SO-8封装的IRF6648,其性能与两个并联的同类增强型SO-8器件相似。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的24
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-28
    • 文件大小:51kb
    • 提供者:weixin_38644599