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  1. “专家的思考”专栏纪念EL电致发光现象发现70周年：平板显示-人类智慧之窗——纪念电致发光现象发现70周年.PDF

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  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-21
    • 文件大小：142kb
    • 提供者：jiezuxian

  1. 交流薄膜电致发光 光电子技术论文

  2. 光电子技术论文，交流薄膜电致发光的简介，应用课堂论文讲解

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-21
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：ydj912868

  1. 共蒸原位反应制备铽配合物及其高效率电致发光器件

  2. 共蒸原位反应制备铽配合物及其高效率电致发光器件，刘志伟，白健，本文中，采用铽配合物Tb(PMIP)3（PMIP为1-苯基-3-甲基-4-异丁酰基吡唑啉酮)与9-(4-叔丁基-苯基)-3,6-二(双苯氧膦基)咔唑（t-DPPOC）共蒸原位反�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-01
    • 文件大小：574kb
    • 提供者：weixin_38641111

  1. TiO2/p+-Si异质结的电致发光

  2. TiO2/p+-Si异质结的电致发光，章圆圆，马向阳，利用磁控溅射法在重掺硼硅片（p+-Si）衬底上沉积Ti薄膜，然后通过热氧化制备了TiO2薄膜，从而形成TiO2/p+-Si异质结。研究发现，该异质结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：624kb
    • 提供者：weixin_38751016

  1. ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光

  2. ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：272kb
    • 提供者：weixin_38514501

  1. 铕配合物的共蒸原位制备及其电致发光

  2. 铕配合物的共蒸原位制备及其电致发光，刘志伟，洪辰明，稀土配合物具有理论电致发光效率高、色纯度高等优点，被认为是有机发光二极管(OLEDs)的理想发光材料。然而，大多数稀土配合物热蒸�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：575kb
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶的电致发光

  2. 镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶的电致发光，陈丹，解志强，本文研究硅纳米晶和二氧化硅的电致发光（EL）和光致发光（PL）,目的在于确定前者的EL是否确实包含硅纳米晶发光的成分。实验结果清�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：262kb
    • 提供者：weixin_38741966

  1. 显示/光电技术中的变色电致发光器件的新型交通灯设计

  2. 摘要：介绍了一种基于变色电致发光器件的新型交通灯设计。目前交通灯大多采用红黄绿三色LED灯组来实现交通管制功能，本设计采用能够伴随其正向偏压改变颜色的电致发光器件做交通灯灯组，且使用单片机控制，其结构相对简单，能有效降低制造成本，方便架设与维护。 　　引言 　　电致发光是一种使电能直接转变为光能的过程。与传统的阴极射线管(CRT)、等离子体显示(PDP)、液晶显示(LCD)相比，电致发光显示具有响应速度快、显示精度高、视角大(接近180°)等优点。电致发光器件结构简单，易实现商品化。基于电致

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：260kb
    • 提供者：weixin_38502929

  1. 基础电子中的半导体电致发光基础理论

  2. 这种电致发光方式是由电场（电流）激发载流子，将电能直接转变为光能的过程，也称为场致发光。电子在从高能级向低能级跃迁的过程中，必然释放出一定的能量。如果能量以发射光子的形式释放，则称这种跃迁为辐射跃迁；反之，没有辐射出光子的跃迁就称为无辐射跃迁。半导体中的电子与空穴的非辐射复合主要包括：异质结界面态的复合、缺陷复合及俄歇复合。非辐射复合对于半导体激光器的量子效率、工作稳定性和可靠性等都带来不利影响。在半导体发光材料中，必须是辐射跃迁占优势，以提高光发射效率。辐射跃迁可以分为本征跃迁与非本征跃迁两种

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：91kb
    • 提供者：weixin_38673548

  1. 显示/光电技术中的IBM开发首款电致发光纳米管晶体管 亮度比LED强千倍

  2. IBM公司日前发布了据称是全球首款电致发光(EL)纳米管晶体管，并声称该器件发光亮度比发光二极管(LED)强1000倍，光子通量多达1万倍。  　　通过在硅片上发射数千个光子，其能量消耗与砷化镓内的一个光子相同。IBM预测，碳纳米管(carbon nanotube)晶体管将导致在硅片上制成光集成器件。据IBM称，硅片集成光器件将有望降低成本，促进电子学发展，减少对奇异半导体材料(如砷化镓)的需求。  　　IBM表示，其技术通过电气激励悬浮于掺杂硅晶圆上方的碳纳米管，实现了1,000倍亮的发射强度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38733733

  1. 基于5-甲基-2-苯基苯并[d]恶唑衍生物的新型铱（III）配合物的合成，光物理和电致发光性质

  2. 基于5-甲基-2-苯基苯并[d]恶唑衍生物的新型铱（III）配合物的合成，光物理和电致发光性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：698kb
    • 提供者：weixin_38696458

  1. n-ZnO / p-NiO异质结发光二极管的紫外电致发光

  2. n-ZnO / p-NiO异质结的制备方法是：通过射频磁控溅射在c面蓝宝石上沉积p型NiO膜，然后通过等离子体辅助分子束外延在nO膜上生长n型ZnO膜。异质结表现出类似于二极管的整流特性，其开启电压约为3.6 V，并且在施加正向偏压时会发出紫外光。随着注入电流从0.5 mA增加到3.5 mA，UV发射的强度增加，但是UV发射的波长从404 nm减小到387 nm。结果表明，紫外线的发射来自ZnO层中电子和空穴的近带边辐射复合。在本工作中讨论了紫外线电致发光的机理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：352kb
    • 提供者：weixin_38733355

  1. Ag纳米颗粒注入载流子对SiNx基LED电致发光的改善作用

  2. Ag纳米颗粒注入载流子对SiNx基LED电致发光的改善作用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：505kb
    • 提供者：weixin_38734200

  1. 具有电致发光的高效混合白色聚合物发光器件可覆盖整个可见范围，并降低了效率下降

  2. 我们报告了一种高效的混合白色聚合物发光器件（WPLED），该发光器件通过简单的溶液处理Craft.io由新合成的宽带隙芴-co-dibenzothiophene-S，S-dioxide共聚物制造而成，该共聚物具有荧光蓝色发射体和主体材料的双重功能用于电致磷光的天蓝色，黄色和饱和红色染料。 最好的设备的国际照明委员会坐标为（0.356，0.334），电致发光覆盖了从400到780 nm的整个可见光谱，从而产生了90的高显色指数。水/醇溶性共轭聚合物和铝作为电子注入阴极可将器件效率提高50％，从而在

  3. 所属分类：其它

  1. 掺入参数对金属有机化学气相沉积法生长的蓝紫色InGaN / GaN多量子阱电致发光的影响

  2. 研究了可在金属有机化学气相沉积（MOCVD）过程中改变In的掺入并影响蓝紫色InGaN / GaN多量子阱（MQW）的电致发光（EL）性能的生长参数。 发现在InGaN阱生长期间适当增加三甲基铟（TMIn）通量可以增加EL强度和EL峰值波长。 然而，当阱的生长温度从810℃降低到800℃时，尽管EL峰值波长增加，但是EL强度降低。 X射线衍射结果表明，界面粗糙度在确定InGaN / GaN MQWs的EL强度中起着重要作用。 建议通过适当增加TMIn通量并在相对较高的生长温度下生长具有高结构质量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：333kb
    • 提供者：weixin_38740596

  1. 退火处理对GaN / Si纳米异质结构阵列电致发光的影响

  2. 退火处理对GaN / Si纳米异质结构阵列电致发光的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：528kb
    • 提供者：weixin_38689055

  1. 基于硅纳米Kong柱阵列的纳米结构GaN / Si异质结的整流和电致发光

  2. 基于硅纳米Kong柱阵列的纳米结构GaN / Si异质结的整流和电致发光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：512kb
    • 提供者：weixin_38648396

  1. 基于芴-氧化膦杂化物的绝缘供体-pi-受体系统，用于非掺杂深蓝色电致发光器件

  2. 基于芴-氧化膦杂化物的绝缘供体-pi-受体系统，用于非掺杂深蓝色电致发光器件

  3. 所属分类：其它

  1. 分子动力学模拟预测和解释IV型电致发光物的结构

  2. 分子动力学模拟预测和解释IV型电致发光物的结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：384kb
    • 提供者：weixin_38512781

  1. 高亮度和稳定的白光发射无镉Ag，Mn共掺杂的Zn-In-S / ZnS量子点及其电致发光

  2. 高亮度和稳定的白光发射无镉Ag，Mn共掺杂的Zn-In-S / ZnS量子点及其电致发光

  3. 所属分类：其它

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