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通信户外机房用温控设备 第2部分 相变材料温控设备
通信户外机房用温控设备 第2部分 相变材料温控设备
所属分类:
系统集成
发布日期:2014-12-18
文件大小:196kb
提供者:
sertinajj
PVA纺丝原液原位合成相变微胶囊制备储能纤维
PVA纺丝原液原位合成相变微胶囊制备储能纤维,李佳佳,陆艺超,以聚乙烯醇(PVA)纺丝原液为分散介质,常温相变材料RT27石蜡为芯材,正硅酸乙酯(TEOS)为聚合单体,通过原位聚合直接制备含有石蜡�
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-12
文件大小:677kb
提供者:
weixin_38506798
基于相变材料的风冷式散热结构设计与数值分析
基于相变材料的风冷式散热结构设计与数值分析,傅佳宏,孟宇翔,根据小型风冷式发动机实际工况设计了一种基于相变材料的风冷式发动机表面散热结构,该装置呈环形结构布置在发动机机体表面,内部
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-17
文件大小:853kb
提供者:
weixin_38725119
针翅管式蓄热器内相变传热过程的数值模拟
针翅管式蓄热器内相变传热过程的数值模拟,李隆键,欧阳梅,为了开发高效的热能存储设备,本文提出了采用针翅管以强化相变蓄热设备传热的新结构,采用数值方法模拟了相变材料在该结构中融化
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-14
文件大小:500kb
提供者:
weixin_38640985
相变材料微胶囊及其节能建筑应用
相变材料微胶囊及其节能建筑应用,张兴祥,刘妍,相变材料微胶囊是一种含有相变材料的微小容器,由囊壁和囊芯组成,其应用包括建筑、热流体、纺织服装等多个领域。本文综述了相变
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-06
文件大小:1015kb
提供者:
weixin_38746738
过冷度对相变材料凝固过程影响分析
过冷度对相变材料凝固过程影响分析,胡火岩,金星,相变材料的凝固过程往往存在过冷的问题,但现有的研究在建立模型或运用计算时通常都忽略了过冷度的影响,这将影响到结果的准确性
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-03
文件大小:745kb
提供者:
weixin_38707356
相变材料熔化过程相变特性数值分析
相变材料熔化过程相变特性数值分析,戴俏波,张程宾,相变储热是利用材料的相变潜热来实现能量的储存和利用,是缓解能量供求双方在时间、强度及地点上不匹配的有效方式,而相变材料的
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-01
文件大小:410kb
提供者:
weixin_38636461
相变材料步冷过程模拟分析
相变材料步冷过程模拟分析,胡火岩,金星,相变材料自身的过冷度影响了材料的凝固过程从而限制了相变材料的运用。因此,充分了解相变材料在凝固过程中的温度变化情况对于相
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-29
文件大小:569kb
提供者:
weixin_38710566
纳米技术在相变储热领域的应用
纳米技术在相变储热领域的应用,李建立,薛平,微胶囊相变材料粒径较大,耐热性、致密性和强度较差,使用中会出现囊壁破裂、堵塞循环泵孔道等问题;微米级定形相变材料的界面结
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-08
文件大小:382kb
提供者:
weixin_38601499
聚丙烯酸基相变材料微胶囊的制备和表征
聚丙烯酸基相变材料微胶囊的制备和表征,单新丽,王建平,本文成功制备了甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物为壁材,正十八烷为囊芯的相变材料微胶囊。采用扫描电子显微镜(SEM),差示扫描量热
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-08
文件大小:480kb
提供者:
weixin_38518006
干法纺丝制备BTCA改性PEG/PVA相变储能纤维的结构与性能
干法纺丝制备BTCA改性PEG/PVA相变储能纤维的结构与性能,李佳佳,许维星,将相变材料聚乙二醇(PEG)与聚乙烯醇(PVA)溶液混合,加入不同含量的丁烷四羧酸(BTCA)作为交联改性剂配制一系列纺丝原液,采用�
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-07
文件大小:933kb
提供者:
weixin_38553681
高低介电态的电学双稳态分子基杂化相变材料的合成与性质
高低介电态的电学双稳态分子基杂化相变材料的合成与性质,张婉莹,赵玉媛,为了制备一种新型高低介电态的电学双稳态分子基杂化相变材料,采用水热法合成了具有青铅矿拓扑结构的相变化合物[HN(CH2)6NH][CdCl2(SO4)]
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-06
文件大小:729kb
提供者:
weixin_38532849
潜热容器中相变材料的熔化和凝固传热特性:多孔隔板和金属纤维的影响
如今,潜热存储技术已经取得了进步,可以在中温范围内重复利用废热。 本文介绍了一种使用工厂中温余热(〜100oC-200oC)开发潜热存储系统的方法。 观察到传热流体(油)和潜热存储材料混合物之间的直接接触熔化和凝固行为。 该混合物由甘露醇和赤藓糖醇(Cm = 70质量%,Ce = 30质量%)作为相变材料(PCM)组成。 PCM的重量为3.0千克,油箔的流速为1.0、1.5或2.0千克/分钟。 为了降低固化过程中PCM混合物的固化高度,在储热容器的PCM区域中安装了一块多孔隔板。 PCM涂层的油
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其它
发布日期:2020-06-03
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38680308
煤中无机成分制备储热相变材料
针对目前高温储能相变材料较少和煤中无机成分处理困难的现状,通过对煤中无机成分热解、碱熔、酸溶、沉淀和萃取等步骤,以H2SO4,HCl和NaOH为主要反应试剂,改变反应体系的温度、酸的浓度、碱与原料的配比,制备出一系列可溶性和不溶性的样品.通过对样品进行组分分析、差热-热重分析和XRD方法的表征,确定出样品的组成、结晶水的含量、某种组分的分解温度和含量以及熔点、结晶程度和晶型.在上述表征与分析基础上,发现碱熔法制备的材料在50℃~150℃范围内能够吸热较多且晶型较好,可作为换热器的相变材料.
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其它
发布日期:2020-06-17
文件大小:482kb
提供者:
weixin_38635794
相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法
BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示,已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术,在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元),并表示已开发出一种编码方法,能克服材料随时间松弛的特性。该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-20
文件大小:64kb
提供者:
weixin_38564718
电源技术中的一种相变存储器的驱动电路设计
引言 相变存储器(PC2RAM)是一种新型半导体存储器,在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中,PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力,得到了较快的发展。相变存储器是利用加工到纳米尺寸的相变材料在晶态与非晶态时不同的电阻状态来实现数据存储。读、写操作是通过施加电压或电流脉冲信号在相变存储单元上进行的。相变存储单元对驱动电路产生的驱动电压或电流十分敏感,因此,设计一个性能优良的驱动电路成为实现芯片功能的关键。本文介绍了一种新型的
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其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:298kb
提供者:
weixin_38633157
具有相变材料的大功率发光二极管封装
我们报告了具有相变材料的大功率发光二极管(LED)封装的制造和表征。将熔点为49.6摄氏度的石蜡插入LED芯片和硅酮密封胶之间。通过研究其输出通量和结温,可以观察到工作LED中嵌入蜡的相变。 LED样品的驱动电流密度为443 mA / mm(2),在插入6毫克石蜡的情况下,结温降低了19摄氏度,光通量提高了25%。光学和热仿真被用来分析LED封装的改进性能。与硅树脂相比,石蜡的导热系数更高被认为是降低LED结温的原因。高屈光度石蜡的折射率被认为是LED增强发射的主要机理。
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其它
发布日期:2021-03-19
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38554781
结合了纳米结构和纳米层的相变存储器中焦耳加热的局部化,以减少复位电流
在本文中,我们深入研究了拟议的具有纳米结构和高电阻纳米层(nano-L)的纳米接触相变存储器(nano-C PCM),以减少复位电流。 通过将N掺杂到传统的Ge2Sb2Te5相变材料中,可以调节高电阻率。 基于有限元方法的分析表明,纳米C PCM中的电流密度可以局部提高到传统和纳米L PCM器件的两倍。 这导致在纳米C PCM中进行焦耳加热的局部化,使其在三种编程器件中以相同的编程电流具有最高的温度。 纳米C PCM的复位电流可以有效地降低到传统的8.2%,这是因为它具有高效的非晶化加热功能。
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其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38699830
相变材料中单过渡金属杂质的电子结构和自旋构型趋势
相变材料中单过渡金属杂质的电子结构和自旋构型趋势
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其它
发布日期:2021-03-14
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38570406
相变超材料完美吸收体的快速相变
相变材料(PCM)在数据存储,光交换和可调谐光子设备的应用中具有巨大的潜力。 然而,高速加热整个相变材料提出了关键挑战。 在这里,我们首次模拟了相变材料(Ge2Sb2Te5)在超材料完美吸收体(MMPA)中的掺入,并表明非晶态Ge2Sb2Te5的温度可以从室温升高到> 900K(Ge2Sb2Te5的熔点) )在短短的几纳秒内就具有150 W / m(2)的低光强度,这归因于吸收器中强等离子体共振增强了光吸收。 我们的结构由一层薄的金(Au)正方形阵列组成,该阵列通过Ge2Sb2Te5层与连
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-10
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38741030
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