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短波长相变光盘记录介质Ge
研究了632.8 nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在100 ns条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达106，反射率对比度在15％以上。
所属分类：
其它
发布日期：2021-02-11
文件大小：671kb
提供者：
weixin_38670420
