基于石墨烯的金属氧化物半导体（MOS）结构是用超薄Y（2）O（3）薄膜作为顶栅氧化物制备的。 虽然使用MOS结构测量了石墨烯的量子电容，并显示出与大通道电势下理想石墨烯的理论非常吻合，但它与狄拉克点附近的理论有很大差异。 建立了一个通用的微观电容模型，并将其用于描述狄拉克点附近的量子电容异常。 使用该模型可以得到与实验结果极好的一致性，并检索了包括电势波动和局部载流子密度波动在内的关键参数。